參數(shù)資料
型號: M28W800BB90ZB1T
廠商: 意法半導體
英文描述: 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
中文描述: 8兆位512KB的x16插槽,啟動塊3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù): 21/49頁
文件大小: 369K
代理商: M28W800BB90ZB1T
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M28W800CT, M28W800CB
DC AND AC PARAMETERS
This section summarizes the operating and mea-
surement conditions, and the DC and AC charac-
teristics of the device. The parameters in the DC
and AC characteristics Tables that follow, are de-
rived from tests performed under the Measure-
ment
Operating and AC Measurement Conditions. De-
signers should check that the operating conditions
in their circuit match the measurement conditions
when relying on the quoted parameters.
Conditions
summarized
in
Table
12,
Table 12. Operating and AC Measurement Conditions
Figure 7. AC Measurement I/O Waveform
Figure 8. AC Measurement Load Circuit
Table 13. Capacitance
Symbol
Note: Sampled only, not 100% tested.
M28W800CT, M28W800CB
Parameter
70
85
90
100
Units
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
V
DD
Supply Voltage
2.7
3.6
2.7
3.6
2.7
3.6
2.7
3.6
V
V
DDQ
Supply Voltage (V
DDQ
V
DD
)
2.7
3.6
2.7
3.6
2.7
3.6
1.65
3.6
V
Ambient Operating Temperature
– 40
85
– 40
85
– 40
85
– 40
85
°C
Load Capacitance (C
L
)
50
50
50
50
pF
Input Rise and Fall Times
5
5
5
5
ns
Input Pulse Voltages
0 to V
DDQ
0 to V
DDQ
0 to V
DDQ
0 to V
DDQ
V
Input and Output Timing Ref.
Voltages
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
V
DDQ
/2
V
AI00610
VDDQ
0V
VDDQ/2
AI00609C
VDDQ
CL
CL includes JIG capacitance
25k
DEVICE
UNDER
TEST
0.1μF
VDD
0.1μF
VDDQ
25k
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
12
pF
相關PDF資料
PDF描述
M28W800BB90ZB6T 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M28W800BT85N1T Octal Buffers/Line Drivers With Open-Collector Outputs 20-SO 0 to 70
M28W800BT85N6T 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M28W800BT85ZB6T Octal Buffers/Line Drivers With Open-Collector Outputs 20-SOIC 0 to 70
M28W800BT90N1T 8 Mbit 512Kb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
M28W800BB90ZB6T 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M28W800BT100N6T 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 100ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M28W800BT90N6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 8MBIT 512KX16 90NS 48TSOP - Trays
M28W800CB90N1 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M28W800CB90N6 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel