- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359025 > M29F016D55M1T (意法半導體) 16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M29F016D55M1T |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（含2Mb × 8，統(tǒng)一座）5V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 19/37頁 |
| 文件大小： | 536K |
| 代理商： | M29F016D55M1T |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁當前第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁
19/37
M29F016D
Figure 10. Read AC Waveforms
Table 10. Read AC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
Test Condition
M29F016D
Unit
55
70/ 90
t
AVAV
t
RC
Address Valid to Next Address Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
Min
55
70
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Valid to Output Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
Max
55
70
ns
t
ELQX
(1)
t
LZ
Chip Enable Low to Output Transition
G = V
IL
Min
0
0
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable Low to Output Valid
G = V
IL
Max
55
70
ns
t
GLQX
(1)
t
OLZ
Output Enable Low to Output Transition
E = V
IL
Min
0
0
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable Low to Output Valid
E = V
IL
Max
30
30
ns
t
EHQZ
(1)
t
HZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
G = V
IL
Max
18
20
ns
t
GHQZ
(1)
t
DF
Output Enable High to Output Hi-Z
E = V
IL
Max
18
20
ns
t
EHQX
t
GHQX
t
AXQX
t
OH
Chip Enable, Output Enable or Address
Transition to Output Transition
Min
0
0
ns
AI05272
tAVAV
tAVQV
tAXQX
tELQX
tEHQZ
tGLQV
tGLQX
tGHQX
VALID
A0-A20
G
DQ0-DQ7
E
tELQV
tEHQX
tGHQZ
VALID
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29F016D55M6T | 16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory |
| M29F016D55N1T | 16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory |
| M29F016D55N6T | 16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory |
| M29F016D70M1T | 16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory |
| M29F016D70M6T | 16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29F016D55M6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory |
| M29F016D55N1 | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 16M (2Mx8) 55ns RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| M29F016D55N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory |
| M29F016D55N6 | 功能描述:閃存 16M (2Mx8) 55ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F016D55N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) 5V Supply Flash Memory |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。