參數(shù)資料
型號(hào)： M29F040-90XN6R
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Excalibur Low-Noise High-Speed JFET-Input Dual Operational Amplifier 8-SOIC
中文描述： 4兆位512KB的× 8，統(tǒng)一座單電源閃存
文件頁數(shù)： 22/31頁
文件大?。?/td> 232K
代理商： M29F040-90XN6R
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Figure 9. Data Polling DQ7 AC Waveforms
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M29F040
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29F040-90XN5R Excalibur Low-Noise High-Speed JFET-Input Dual Operational Amplifier 8-PDIP
M29F040-90XN3TR Excalibur Low-Noise High-Speed JFET-Input Dual Operational Amplifier 8-PDIP
M29F040-90XN1TR Excalibur Low-Noise High-Speed JFET-Input Dual Operational Amplifier 8-SOIC
M29F040-90XK6TR Excalibur Low-Noise High-Speed JFET-Input Dual Operational Amplifier 8-SOIC
M29F040-90XK5TR 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Single Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M29F040-90XN6TR 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Single Supply Flash Memory
M29F040B 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (512Kb x8, Uniform Block) Single Supply Flash Memory
M29F040B_05 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (512Kb x8, Uniform Block) Single Supply Flash Memory
M29F040B120K1 功能描述:閃存 RO 511-M29F040B90K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29F040B120K1T 功能描述:閃存 4M (512Kx8) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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