參數(shù)資料
型號： M29F200T-120M3R
廠商： 意法半導體
英文描述： 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory
中文描述： 2兆位的256Kb x8或128KB的x16插槽，啟動座單電源閃存
文件頁數(shù)： 1/22頁
文件大?。?/td> 146K
代理商： M29F200T-120M3R
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PRELIMINARY DATA
October 1999
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M29F200BT
M29F200BB
2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block)
Single Supply Flash Memory
I
SINGLE 5V
±
10% SUPPLY VOLTAGE for
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS
I
ACCESS TIME: 45ns
I
PROGRAMMING TIME
– 8
μ
s per Byte/Word typical
I
7 MEMORY BLOCKS
– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)
– 2 Parameter and 4 Main Blocks
I
PROGRAM/ERASE CONTROLLER
– Embedded Byte/Word Program algorithm
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm
– Status Register Polling and Toggle Bits
– Ready/Busy Output Pin
I
ERASE SUSPEND and RESUME MODES
– Read and Program another Block during
Erase Suspend
I
UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND
– Faster Production/Batch Programming
I
TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION
MODE
I
LOW POWER CONSUMPTION
– Standby and Automatic Standby
I
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per
BLOCK
I
20 YEARS DATA RETENTION
– Defectivity below 1 ppm/year
I
ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 0020h
– M29F200BT Device Code: 00D3h
– M29F200BB Device Code: 00D4h
44
1
TSOP48 (N)
12 x 20mm
SO44 (M)
Figure 1. Logic Diagram
AI02912
17
A0-A16
W
DQ0-DQ14
VCC
M29F200BT
M29F200BB
E
VSS
15
G
RP
DQ15A–1
BYTE
RB
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PDF描述
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M29F200T-90N3TR Single Positive-Edge-Triggered D-Type Flip-Flop with Clear and Preset 8-UQFN -40 to 85
M29F200T-90N3R Single Positive-Edge-Triggered D-Type Flip-Flop with Clear and Preset 8-UQFN -40 to 85
M29F200T-90N1TR Single Positive-Edge-Triggered D-Type Flip-Flop with Clear and Preset 8-US8 -40 to 85
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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M29F400B-90N1 功能描述:閃存 512Kx8 or 256Kx16 90 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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