參數資料
型號: M29W200BB120N6T
廠商: 意法半導體
英文描述: 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
中文描述: 2兆位的256Kb x8或128KB的x16插槽,引導塊低壓單電源閃存
文件頁數: 12/22頁
文件大小: 144K
代理商: M29W200BB120N6T
M29W200BT, M29W200BB
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Figure 6. AC Testing Input Output Waveform
AI01417
3V
0V
1.5V
Figure 7. AC Testing Load Circuit
AI02762
0.8V
OUT
CL= 30pF or 100pF
CLincludes JIG capacitance
3.3k
1N914
DEVICE
UNDER
TEST
Table 12. Capacitance
(T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
Symbol
Note: Sampled only, not 100% tested.
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
12
pF
Table 11. AC Measurement Conditions
Parameter
M29W200B
55
70
90 / 120
V
CC
Supply Voltage
3.0 to 3.6V
2.7 to 3.6V
2.7 to 3.6V
Load Capacitance (C
L
)
30pF
30pF
100pF
Input Rise and Fall Times
10ns
10ns
10ns
Input Pulse Voltages
0 to 3V
0 to 3V
0 to 3V
Input and Output Timing Ref.Voltages
1.5V
1.5V
1.5V
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PDF描述
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M29W200BB55N6T 功能描述:閃存 256Kx8 or 128Kx16 55 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W200BB70M1 功能描述:閃存 256Kx8 or 128Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W200BB70N1 功能描述:閃存 256Kx8 or 128Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel