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參數(shù)資料
| 型號： | M29W200BT55N1T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 2兆位的256Kb x8或128KB的x16插槽，引導(dǎo)塊低壓單電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 1/22頁 |
| 文件大小： | 144K |
| 代理商： | M29W200BT55N1T |
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PRELIMINARY DATA
March 2000
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.
M29W200BT
M29W200BB
2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block)
Low Voltage Single Supply Flash Memory
I
SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS
I
ACCESS TIME: 55ns
I
PROGRAMMING TIME
– 10
μ
s per Byte/Word typical
I
7 MEMORY BLOCKS
– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)
– 2 Parameter and 4 Main Blocks
I
PROGRAM/ERASE CONTROLLER
– Embedded Byte/Word Program algorithm
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm
– Status Register Polling and Toggle Bits
– Ready/Busy Output Pin
I
ERASE SUSPEND and RESUME MODES
– Read and Program another Block during
Erase Suspend
I
UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND
– Faster Production/Batch Programming
I
TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION
MODE
I
LOW POWER CONSUMPTION
– Standby and Automatic Standby
I
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per
BLOCK
I
20 YEARS DATA RETENTION
– Defectivity below 1 ppm/year
I
ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 0020h
– Top Device Code M29W200BT: 0051h
– Bottom Device Code: M29W200BB 0057h
44
1
TSOP48 (N)
12 x 20mm
SO44 (M)
Figure 1. Logic Diagram
AI02948
17
A0-A16
W
DQ0-DQ14
VCC
M29W200BT
M29W200BB
E
VSS
15
G
RP
DQ15A–1
BYTE
RB
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W200BT55N6T | 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W200BT70M1T | 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W200BT70M6T | 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W200BB120M6T | 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W200BB120N1T | 2 Mbit 256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W200BT70M1 | 功能描述:閃存 256Kx8 or 128Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W200BT70N1 | 功能描述:閃存 256Kx8 or 128Kx16 70 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W200BT70N6E | 功能描述:IC FLASH 2MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| M29W200BT90N6 | 功能描述:閃存 256Kx8 or 128Kx16 90 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W256G7AN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays |
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