- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359042 > M29W400DB45N6F (意法半導體) 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M29W400DB45N6F |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（512KB的x8或256Kb的x16插槽，引導塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 16/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 146K |
| 代理商： | M29W400DB45N6F |
M29W400BT, M29W400BB
16/22
Table 16. Write AC Characteristics, Chip Enable Controlled
(T
A
= 0 to 70
°
C or –40 to 85
°
C)
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
M29W400B
Unit
55
70
90 / 120
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
Min
55
70
90
ns
t
WLEL
t
WS
Write Enable Low to Chip Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
ELEH
t
CP
Chip Enable Low to Chip Enable High
Min
40
45
45
ns
t
DVEH
t
DS
Input Valid to Chip Enable High
Min
25
30
45
ns
t
EHDX
t
DH
Chip Enable High to Input Transition
Min
0
0
0
ns
t
EHWH
t
WH
Chip Enable High to Write Enable High
Min
0
0
0
ns
t
EHEL
t
CPH
Chip Enable High to Chip Enable Low
Min
30
30
30
ns
t
AVEL
t
AS
Address Valid to Chip Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
ELAX
t
AH
Chip Enable Low to Address Transition
Min
40
45
45
ns
t
GHEL
Output Enable High Chip Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
EHGL
t
OEH
Chip Enable High to Output Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
EHRL(1)
t
BUSY
Program/Erase Valid to RB Low
Max
30
30
35
ns
t
VCHWL
t
VCS
V
CC
High to Write Enable Low
Min
50
50
50
μ
s
Figure 10. Write AC Waveforms, Chip Enable Controlled
AI01870C
E
G
W
A0-A17/
A–1
DQ0-DQ7/
DQ8-DQ15
VALID
VALID
VCC
tVCHWL
tEHWH
tEHEL
tWLEL
tAVEL
tEHGL
tELAX
tEHDX
tAVAV
tDVEH
tELEH
tGHEL
RB
tEHRL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W400DB45N6T | 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W400DB45ZA1E | 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W400DB45ZA1F | 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W400DB45ZA1T | 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W400DB45ZA6E | 4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W400DB45ZE6E | 功能描述:閃存 4 MBIT 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W400DB45ZE6E_NUD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| M29W400DB45ZE6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Tape and Reel |
| M29W400DB55N1 | 功能描述:閃存 512Kx8 or 256Kx16 55 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W400DB55N3T | 功能描述:IC FLASH 4MBIT 55NS 48TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
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