參數(shù)資料
型號： M29W512B120NZ1T
廠商： 意法半導體
英文描述： RF/Microwave Capacitor; Capacitance:10pF; Capacitance Tolerance: 5%; Series:SQ; Voltage Rating:250VDC; Capacitor Dielectric Material:Multilayer Ceramic; Package/Case:0603; Termination:SMD RoHS Compliant: Yes
中文描述： 512千位64Kb的× 8，大量低電壓單電源閃存
文件頁數(shù)： 11/18頁
文件大小： 139K
代理商： M29W512B120NZ1T
11/18
M29W512B
Figure 8. Read Mode AC Waveforms
AI02977
tAVAV
tAVQV
tAXQX
tELQX
tEHQZ
tGLQV
tGLQX
tGHQX
VALID
A0-A15
G
DQ0-DQ7
E
tELQV
tEHQX
tGHQZ
VALID
Table 10. Read AC Characteristics
(TA = 0 to 70°C)
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
Test Condition
M29W512B
Unit
55
70
90 / 120
t
AVAV
t
RC
Address Valid to Next Address
Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
Min
55
70
90
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Valid to Output Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
Max
55
70
90
ns
t
ELQX
(1)
t
LZ
Chip Enable Low to Output
Transition
G = V
IL
Min
0
0
0
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable Low to Output Valid
G = V
IL
Max
55
70
90
ns
t
GLQX
(1)
t
OLZ
Output Enable Low to Output
Transition
E = V
IL
Min
0
0
0
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable Low to Output Valid
E = V
IL
Max
30
30
35
ns
t
EHQZ
(1)
t
HZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
G = V
IL
Max
20
25
30
ns
t
GHQZ
(1)
t
DF
Output Enable High to Output Hi-Z
E = V
IL
Max
20
25
30
ns
t
EHQX
t
GHQX
t
AXQX
t
OH
Chip Enable, Output Enable or
Address Transition to Output
Transition
Min
0
0
0
ns
相關PDF資料
PDF描述
M29W512B KPSE 10C 10#20 SKT RECP
M29W512B120K1T 512 Kbit 64Kb x8, Bulk Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W512B55K1T 512 Kbit 64Kb x8, Bulk Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W512B90K1T 512 Kbit 64Kb x8, Bulk Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W640DB70ZA1T 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
M29W512B70K1 功能描述:閃存 PLCC-32 64KX8 70NS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W512B70NZ1 功能描述:閃存 512K (64Kx8) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W640DB90N6 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W640DB90N6E 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W640DB90N6F 功能描述:閃存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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