參數(shù)資料
型號： M29W640DB70ZA6T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
中文描述： 64兆位和8Mb x8或4Mb的x16插槽，啟動塊3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 16/49頁
文件大?。?/td> 945K
代理商： M29W640DB70ZA6T
M29W640DT, M29W640DB
16/49
Note: X Don’t Care, PA Program Address, PD Program Data, BA Any address in the Block. All values in the table are in hexadecimal.
The Command Interface only uses A–1, A0-A10 and DQ0-DQ7 to verify the commands; A11-A20, DQ8-DQ14 and DQ15 are Don’t
Care. DQ15A–1 is A–1 when BYTE is V
IL
or DQ15 when BYTE is V
IH
.
Table 6. Program, Erase Times and Program, Erase Endurance Cycles
Note: 1. Typical values measured at room temperature and nominal voltages.
2. Sampled, but not 100% tested.
3. Maximum value measured at worst case conditions for both temperature and V
CC
after 100,00 program/erase cycles.
4. Maximum value measured at worst case conditions for both temperature and V
CC
.
Program
4
AAA
AA
555
55
AAA
A0
PA
PD
Quadruple Byte Program
5
AAA
55
PA0
PD0
PA1
PD1
PA2
PD2
PA3
PD3
Unlock Bypass
3
AAA
AA
555
55
AAA
20
Unlock Bypass Program
2
X
A0
PA
PD
Unlock Bypass Reset
2
X
90
X
00
Chip Erase
6
AAA
AA
555
55
AAA
80
AAA
AA
555
55
AAA
10
Block Erase
6+
AAA
AA
555
55
AAA
80
AAA
AA
555
55
BA
30
Erase Suspend
1
X
B0
Erase Resume
1
X
30
Read CFI Query
1
AA
98
Enter Extended Block
3
AAA
AA
555
55
AAA
88
Exit Extended Block
4
AAA
AA
555
55
AAA
90
X
00
Parameter
Min
Typ
(1, 2)
Max
(2)
Unit
Chip Erase
80
400
(3)
s
Block Erase (64 KBytes)
0.8
6
(4)
s
Erase Suspend Latency Time
50
(4)
μs
Program (Byte or Word)
10
200
(3)
μs
Double Word Program (Byte or Word)
10
200
(3)
μs
Chip Program (Byte by Byte)
80
400
(3)
s
Chip Program (Word by Word)
40
200
(3)
s
Chip Program (Quadruple Byte or Double Word)
20
100
(3)
s
Program/Erase Cycles (per Block)
100,000
cycles
Data Retention
20
years
Command
L
Bus Write Operations
1st
2nd
3rd
4th
5th
6th
Add
Data
Add
Data
Add
Data
Add
Data
Add
Data
Add
Data
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29W640DB90N1E 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W640DB90N1F 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W640DB90N1T Low-Power Single Inverter Gate 5-SOT -40 to 85
M29W640DB90N6E 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W640DB90N6T Low-Power Single Inverter Buffer/Driver with Open-Drain Outputs 5-SOT-23 -40 to 85
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M29W640DB90N6 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W640DB90N6E 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W640DB90N6F 功能描述:閃存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W640DB90ZA6 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W640DB90ZA6T 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 64MBIT 8MX8/4MX16 90NS 63TFBGA - Tape and Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*