參數(shù)資料
型號: M29W640DB90N6E
廠商: 意法半導體
英文描述: 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
中文描述: 64兆位和8Mb x8或4Mb的x16插槽,啟動塊3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù): 6/49頁
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代理商: M29W640DB90N6E
M29W640DT, M29W640DB
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Figure 3. TSOP Connections
DQ3
DQ10
DQ9
DQ1
DQ2
A6
A5
DQ0
G
VSS
W
RP
A3
A2
A1
RB
A18
DQ6
DQ13
DQ5
A8
A19
A9
A17
A7
A10
DQ14
DQ12
DQ4
DQ15A–1
DQ7
VCC
DQ11
VPP/WP
A21
M29W640DT
M29W640DB
12
13
1
24
25
36
37
48
DQ8
A20
A4
A12
A11
A13
A16
BYTE
VSS
A15
A14
E
A0
AI05734
相關PDF資料
PDF描述
M29W640DB90N6T Low-Power Single Inverter Buffer/Driver with Open-Drain Outputs 5-SOT-23 -40 to 85
M29W640DB90ZA1F Low-Power Single Inverter Buffer/Driver with Open-Drain Outputs 5-SOT-23 -40 to 85
M29W640DB90ZA1T 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W640DB90ZA6F Low-Power Single Inverter Buffer/Driver with Open-Drain Outputs 5-SOT-23 -40 to 85
M29W640DB90ZA6T Low-Power Single Inverter Buffer/Driver with Open-Drain Outputs 5-SOT-23 -40 to 85
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
M29W640DB90N6F 功能描述:閃存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W640DB90ZA6 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W640DB90ZA6T 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 64MBIT 8MX8/4MX16 90NS 63TFBGA - Tape and Reel
M29W640DT90N6 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W640DT90N6E 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel