參數(shù)資料
型號： M29W640DT70N6T
廠商： 意法半導體
英文描述： Low-Power Single Inverter Buffer/Driver with Open-Drain Outputs 5-SC70 -40 to 85
中文描述： 64兆位和8Mb x8或4Mb的x16插槽，啟動塊3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 16/49頁
文件大?。?/td> 945K
代理商： M29W640DT70N6T
M29W640DT, M29W640DB
16/49
Note: X Don’t Care, PA Program Address, PD Program Data, BA Any address in the Block. All values in the table are in hexadecimal.
The Command Interface only uses A–1, A0-A10 and DQ0-DQ7 to verify the commands; A11-A20, DQ8-DQ14 and DQ15 are Don’t
Care. DQ15A–1 is A–1 when BYTE is V
IL
or DQ15 when BYTE is V
IH
.
Table 6. Program, Erase Times and Program, Erase Endurance Cycles
Note: 1. Typical values measured at room temperature and nominal voltages.
2. Sampled, but not 100% tested.
3. Maximum value measured at worst case conditions for both temperature and V
CC
after 100,00 program/erase cycles.
4. Maximum value measured at worst case conditions for both temperature and V
CC
.
Program
4
AAA
AA
555
55
AAA
A0
PA
PD
Quadruple Byte Program
5
AAA
55
PA0
PD0
PA1
PD1
PA2
PD2
PA3
PD3
Unlock Bypass
3
AAA
AA
555
55
AAA
20
Unlock Bypass Program
2
X
A0
PA
PD
Unlock Bypass Reset
2
X
90
X
00
Chip Erase
6
AAA
AA
555
55
AAA
80
AAA
AA
555
55
AAA
10
Block Erase
6+
AAA
AA
555
55
AAA
80
AAA
AA
555
55
BA
30
Erase Suspend
1
X
B0
Erase Resume
1
X
30
Read CFI Query
1
AA
98
Enter Extended Block
3
AAA
AA
555
55
AAA
88
Exit Extended Block
4
AAA
AA
555
55
AAA
90
X
00
Parameter
Min
Typ
(1, 2)
Max
(2)
Unit
Chip Erase
80
400
(3)
s
Block Erase (64 KBytes)
0.8
6
(4)
s
Erase Suspend Latency Time
50
(4)
μs
Program (Byte or Word)
10
200
(3)
μs
Double Word Program (Byte or Word)
10
200
(3)
μs
Chip Program (Byte by Byte)
80
400
(3)
s
Chip Program (Word by Word)
40
200
(3)
s
Chip Program (Quadruple Byte or Double Word)
20
100
(3)
s
Program/Erase Cycles (per Block)
100,000
cycles
Data Retention
20
years
Command
L
Bus Write Operations
1st
2nd
3rd
4th
5th
6th
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相關PDF資料
PDF描述
M29W640DT70ZA1E 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W640DT70ZA1F Low-Power Single Inverter Buffer/Driver with Open-Drain Outputs 5-SOT -40 to 85
M29W640DT70ZA1T 64 Mbit 8Mb x8 or 4Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W640DT70ZA6F Low-Power Single Buffer/Driver with Open-Drain Outputs 5-SOT-23 -40 to 85
M29W640DT70ZA6T Low-Power Single Buffer/Driver with Open-Drain Outputs 5-SOT-23 -40 to 85
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
M29W640DT90N6 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W640DT90N6E 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W640DT90ZA6 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W640FB70N6E 功能描述:閃存 64 Mbit Boot Block 3V STD 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W640FB70N6F 功能描述:閃存 64MB RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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