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參數(shù)資料
| 型號： | M29W641DH70N6E |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的x16插槽，統(tǒng)一座3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 21/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 641K |
| 代理商： | M29W641DH70N6E |
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M29W641DH, M29W641DL, M29W641DU
Figure 9. Read Mode AC Waveforms
Table 10. Read AC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
Test Condition
M29W641D
Unit
70
90
100
120
t
AVAV
t
RC
Address Valid to Next Address Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
Min
70
90
100
120
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Valid to Output Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
Max
70
90
100
120
ns
t
ELQX
(1)
t
LZ
Chip Enable Low to Output Transition
G = V
IL
Min
0
0
0
0
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable Low to Output Valid
G = V
IL
Max
70
90
100
120
ns
t
GLQX
(1)
t
OLZ
Output Enable Low to Output Transition
E = V
IL
Min
0
0
0
0
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable Low to Output Valid
E = V
IL
Max
30
35
35
50
ns
t
EHQZ
(1)
t
HZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
G = V
IL
Max
25
30
30
30
ns
t
GHQZ
(1)
t
DF
Output Enable High to Output Hi-Z
E = V
IL
Max
25
30
30
30
ns
t
EHQX
t
GHQX
t
AXQX
t
OH
Chip Enable, Output Enable or Address
Transition to Output Transition
Min
0
0
0
0
ns
AI06699
tAVAV
tAVQV
tAXQX
tELQX
tEHQZ
tGLQV
tGLQX
tGHQX
VALID
A0-A21
G
DQ0-DQ7/
DQ8-DQ15
E
tELQV
tEHQX
tGHQZ
VALID
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W641DH70N6T | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W641DH70ZA1E | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W641DH70ZA1F | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W641DH70ZA1T | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W641DH70ZA6F | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W641DH90N6 | 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W641DL90N6 | 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W641DU90ZA6 | 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB100M1 | 功能描述:閃存 SO-44 1MX8 512KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB100N1 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 100n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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