參數(shù)資料
型號： M29W641DH70ZA1T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
中文描述： 64兆位4Mb的x16插槽，統(tǒng)一座3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 33/42頁
文件大小： 641K
代理商： M29W641DH70ZA1T
33/42
M29W641DH, M29W641DL, M29W641DU
Table 20. CFI Query System Interface Information
Table 21. Device Geometry Definition
Address
Data
Description
Value
1Bh
0027h
V
CC
Logic Supply Minimum Program/Erase voltage
bit 7 to 4
BCD value in volts
bit 3 to 0
BCD value in 100 mV
2.7V
1Ch
0036h
V
CC
Logic Supply Maximum Program/Erase voltage
bit 7 to 4
BCD value in volts
bit 3 to 0
BCD value in 100 mV
3.6V
1Dh
00B5h
V
PP
[Programming] Supply Minimum Program/Erase voltage
bit 7 to 4
HEX value in volts
bit 3 to 0
BCD value in 100 mV
11.5V
1Eh
00C5h
V
PP
[Programming] Supply Maximum Program/Erase voltage
bit 7 to 4
HEX value in volts
bit 3 to 0
BCD value in 100 mV
12.5V
1Fh
0004h
Typical timeout per single word program = 2
n
μs
16μs
20h
0000h
Typical timeout for minimum size write buffer program = 2
n
μs
NA
21h
000Ah
Typical timeout per individual block erase = 2
n
ms
1s
22h
0000h
Typical timeout for full chip erase = 2
n
ms
NA
23h
0004h
Maximum timeout for word program = 2
n
times typical
256 μs
24h
0000h
Maximum timeout for write buffer program = 2
n
times typical
NA
25h
0003h
Maximum timeout per individual block erase = 2
n
times typical
8 s
26h
0000h
Maximum timeout for chip erase = 2
n
times typical
NA
Address
Data
Description
Value
27h
0017h
Device Size = 2
n
in number of bytes
8 MByte
28h
29h
0001h
0000h
Flash Device Interface Code description
x16
Async.
2Ah
2Bh
0000h
0000h
Maximum number of bytes in multi-byte program or page = 2
n
NA
2Ch
0001h
Number of Erase Block Regions. It specifies the number of
regions containing contiguous Erase Blocks of the same size.
1
2Dh
2Eh
007Fh
0000h
Region 1 Information
Number of identical size erase block = 007Fh+1
128
2Fh
30h
0000h
0001h
Region 1 Information
Block size in Region 1 = 0100h * 256 byte
64 KByte
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29W641DH70ZA6F 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DH70ZA6T 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DH70ZA6E 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DL70ZA6E 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DU70ZA6E 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M29W641DH90N6 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W641DL90N6 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W641DU90ZA6 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800AB100M1 功能描述:閃存 SO-44 1MX8 512KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800AB100N1 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 100n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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