參數(shù)資料
型號(hào)： M29W641DL70ZA1F
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
中文描述： 64兆位4Mb的x16插槽，統(tǒng)一座3V電源快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù)： 14/42頁(yè)
文件大小： 641K
代理商： M29W641DL70ZA1F
M29W641DH, M29W641DL, M29W641DU
14/42
Table 3. Commands
Note:
X Don’t Care, PA Program Address, PD Program Data, BA Any address in the Block. All values in the table are in hexadecimal.
Table 4. Program, Erase Times and Program, Erase Endurance Cycles
Note: 1. Typical values measured at room temperature and nominal voltages.
2. Sampled, but not 100% tested.
3. Maximum value measured at worst case conditions for both temperature and V
CC
after 100,00 program/erase cycles.
4. Maximum value measured at worst case conditions for both temperature and V
CC
.
Command
L
Bus Write Operations
1st
2nd
3rd
4th
5th
6th
Addr
Data
Addr
Data
Addr
Data
Addr
Data
Addr
Data
Addr
Data
Read/Reset
1
X
F0
3
555
AA
2AA
55
X
F0
Auto Select
3
555
AA
2AA
55
555
90
Program
4
555
AA
2AA
55
555
A0
PA
PD
Double Word Program
3
555
50
PA0
PD0
PA1
PD1
Unlock Bypass
3
555
AA
2AA
55
555
20
Unlock Bypass
Program
2
X
A0
PA
PD
Unlock Bypass Reset
2
X
90
X
00
Chip Erase
6
555
AA
2AA
55
555
80
555
AA
2AA
55
555
10
Block Erase
6+
555
AA
2AA
55
555
80
555
AA
2AA
55
BA
30
Erase Suspend
1
X
B0
Erase Resume
1
X
30
Read CFI Query
1
55
98
Enter Extended Block
3
555
AA
2AA
55
555
88
Exit Extended Block
4
555
AA
2AA
55
555
90
X
00
Parameter
Min
Typ
(1, 2)
Max
(2)
Unit
Chip Erase
80
400
(3)
s
Block Erase (32 KWords)
0.8
6
(4)
s
Erase Suspend Latency Time
50
(4)
μs
Program (Word)
10
200
(3)
μs
Double Word Program
10
200
(3)
μs
Chip Program (Word by Word)
40
200
(3)
s
Chip Program (Double Word)
20
100
(3)
s
Program/Erase Cycles (per Block)
100,000
cycles
Data Retention
20
years
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29W641DL70ZA1T 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DL70N1E 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DL70N1F 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DL70N1T 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
M29W641DU90N1E 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M29W641DL90N6 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W641DU90ZA6 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800AB100M1 功能描述:閃存 SO-44 1MX8 512KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800AB100N1 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 100n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800AB100N6 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 100n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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