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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M29W641DU12N6F |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的x16插槽，統(tǒng)一座3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 22/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 641K |
| 代理商： | M29W641DU12N6F |
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M29W641DH, M29W641DL, M29W641DU
22/42
Figure 10. Write AC Waveforms, Write Enable Controlled
Note: 1. RB concerns the M29W461DU only.
Table 11. Write AC Characteristics, Write Enable Controlled
Note: 1. This timing concerns the M29W461DU only.
Symbol
Alt
Parameter
M29W641D
Unit
70
90
100
120
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
Min
70
90
100
120
ns
t
ELWL
t
CS
Chip Enable Low to Write Enable Low
Min
0
0
0
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Enable Low to Write Enable High
Min
35
35
35
50
ns
t
DVWH
t
DS
Input Valid to Write Enable High
Min
45
45
45
50
ns
t
WHDX
t
DH
Write Enable High to Input Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
Write Enable High to Chip Enable High
Min
0
0
0
0
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Enable High to Write Enable Low
Min
30
30
30
30
ns
t
AVWL
t
AS
Address Valid to Write Enable Low
Min
0
0
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Write Enable Low to Address Transition
Min
45
45
45
50
ns
t
GHWL
Output Enable High to Write Enable Low
Min
0
0
0
0
ns
t
WHGL
t
OEH
Write Enable High to Output Enable Low
Min
0
0
0
0
ns
t
WHRL(1)
t
BUSY
Program/Erase Valid to RB Low
Max
90
90
90
90
ns
t
VCHEL
t
VCS
V
CC
High to Chip Enable Low
Min
50
50
50
50
μs
AI06800b
E
G
W
A0-A21
DQ0-DQ7/
DQ8-DQ15
VALID
VALID
VCC
tVCHEL
tWHEH
tWHWL
tELWL
tAVWL
tWHGL
tWLAX
tWHDX
tAVAV
tDVWH
tWLWH
tGHWL
RB
tWHRL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W641DH70N1E | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W641DH70N1F | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W641DH70N1T | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W641DH70N6E | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W641DH70N6T | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W641DU90ZA6 | 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB100M1 | 功能描述:閃存 SO-44 1MX8 512KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB100N1 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 100n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB100N6 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 100n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB120M1 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 120n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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