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參數(shù)資料
| 型號： | M29W641DU90N1E |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的x16插槽，統(tǒng)一座3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 20/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 641K |
| 代理商： | M29W641DU90N1E |
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M29W641DH, M29W641DL, M29W641DU
20/42
Table 9. DC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
CCQ
±1
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
CCQ
±1
μ
A
I
CC1
Supply Current (Read)
E = V
IL
, G = V
IH
,
f = 6 MHz
10
mA
I
CC2
Supply Current (Standby)
E = V
CC
±0.2V,
RP = V
CC
±0.2V
100
μ
A
I
CC3
Supply Current (Program/
Erase)
Program/Erase
Controller active
V
PP
pin =
V
IL
or V
IH
20
mA
V
PP
pin =
V
PPH
20
mA
V
IL
Input Low Voltage
V
CCQ
≤
V
CC
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
V
CCQ
≤
V
CC
0.7V
CCQ
V
CCQ
+ 0.3
V
V
PPH
Voltage for
V
PP
Program
Acceleration
V
CC
= 3.0V ±10%
11.5
12.5
V
I
PP
Current for
V
PP
Program
Acceleration
V
CC
= 3.0V ±10%
15
mA
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 4.0mA, V
CC
= V
CCmin
0.45
V
V
OH (1)
Output High Voltage
I
OH
= –2.0mA, V
CC
= V
CCmin
0.85V
CCQ
V
I
OH
= –100
μ
A, V
CC
= V
CCmin
V
CCQ
– 0.4
V
V
ID
Identification Voltage
11.5
12.5
V
V
LKO
(1)
Program/Erase Lockout Supply
Voltage
1.8
2.3
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W641DU90N1F | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W641DU90N1T | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W641DU90N6E | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W641DU90N6T | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W641DH12N1F | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W641DU90ZA6 | 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB100M1 | 功能描述:閃存 SO-44 1MX8 512KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB100N1 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 100n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB100N6 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 100n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB120M1 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 120n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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