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參數(shù)資料
| 型號： | M29W641DU90N6F |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | EMI Filter; Current Rating:3A; Voltage Rating:250V; Depth:74mm; Height:30mm; Weight:160g; Width:38mm |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的x16插槽，統(tǒng)一座3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 1/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 641K |
| 代理商： | M29W641DU90N6F |
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PRODUCT PREVIEW
April 2003
This is preliminary information on a new product now in development. Details are subject to change without notice.
M29W641DH, M29W641DL
M29W641DU
64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block)
3V Supply Flash Memory
FEATURES SUMMARY
I
SUPPLY VOLTAGE
– V
CC
=
2.7V to 3.6V Core Power Supply
– V
CCQ
= 1.8V to 3.6V for Input/Output
– V
PP
=12 V for Fast Program (optional)
I
ACCESS TIME: 70, 90, 100 and 120ns
I
PROGRAMMING TIME
– 10 μs typical
– Double Word Program option
I
128 UNIFORM, 32-KWord MEMORY BLOCKS
I
PROGRAM/ERASE CONTROLLER
– Embedded Program and Erase algorithms
I
ERASE SUSPEND and RESUME MODES
– Read and Program another Block during
Erase Suspend
I
UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND
– Faster Production/Batch Programming
I
WRITE PROTECT OPTIONS
– M29W641DH: WP Pin for Write Protection of
Highest Address Block
– M29W641DL: WP Pin for Write Protection of
Lowest Address Block
– M29W641DU: No Write Protection
I
TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION
MODE
I
COMMON FLASH INTERFACE
I
EXTENDED MEMORY BLOCK
– Extra block used as security block or to store
additional information
I
LOW POWER CONSUMPTION
– Standby and Automatic Standby
I
ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 0020h
– Device Code M29W641D: 22C7h
Figure 1. Packages
TSOP48 (N)
12 x 20mm
FBGA
TFBGA63 (ZA)
7 x 11mm
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W641DL70N6E | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W641DL70N6T | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W641DL70ZA1E | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W641DL70ZA1F | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W641DL70ZA1T | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W641DU90ZA6 | 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB100M1 | 功能描述:閃存 SO-44 1MX8 512KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB100N1 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 100n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB100N6 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 100n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB120M1 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 120n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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