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參數(shù)資料
| 型號： | M29W641DU90N6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位4Mb的x16插槽，統(tǒng)一座3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 19/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 641K |
| 代理商： | M29W641DU90N6T |
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M29W641DH, M29W641DL, M29W641DU
DC AND AC PARAMETERS
This section summarizes the operating and mea-
surement conditions, and the DC and AC charac-
teristics of the device. The parameters in the DC
and AC Characteristic tables that follow are de-
rived from tests performed under the Measure-
ment Conditions summarized in the relevant
tables. Designers should check that the operating
conditions in their circuit match the measurement
conditions when relying on the quoted parame-
ters.
Table 7. Operating and AC Measurement Conditions
Figure 7. AC Measurement I/O Waveform
Figure 8. AC Measurement Load Circuit
Table 8. Device Capacitance
Note: Sampled only, not 100% tested.
Parameter
M29W641D
Unit
70
90
100
120
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
V
CC
Supply Voltage
3.0
3.6
2.7
3.6
3.0
3.6
2.7
3.6
V
V
CCQ
Supply Voltage
3.0
3.6
2.7
3.6
1.65
1.95
1.65
1.95
V
Ambient Operating Temperature
–40
85
–40
85
–40
85
–40
85
°C
Load Capacitance (C
L
)
30
30
30
30
pF
Input Rise and Fall Times
10
10
10
10
ns
Input Pulse Voltages
0 to V
CCQ
0 to V
CCQ
0 to V
CCQ
0 to V
CCQ
V
Input and Output Timing Ref.
Voltages
V
CCQ
/2
V
CCQ
/2
V
CCQ
/2
V
CCQ
/2
V
AI05557b
VCCQ
0V
VCCQ/2
AI05558b
CL
CL includes JIG capacitance
DEVICE
UNDER
TEST
25k
VCCQ
25k
VCC
0.1μF
VCCQ
0.1μF
VPP
0.1μF
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
6
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
12
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W641DH12N1F | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W641DL12N1F | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W641DU12N1F | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W641DL12N6E | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
| M29W641DU12N6E | 64 Mbit 4Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W641DU90ZA6 | 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB100M1 | 功能描述:閃存 SO-44 1MX8 512KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB100N1 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 100n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB100N6 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 100n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB120M1 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 120n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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