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參數(shù)資料
| 型號： | M29W800AB120ZA5T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆1兆x8或512KB的x16插槽，引導(dǎo)塊低壓單電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 1/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 234K |
| 代理商： | M29W800AB120ZA5T |
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March 2000
M29W800AT
M29W800AB
8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)
Low Voltage Single Supply Flash Memory
I
2.7V to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS
I
ACCESS TIME: 80ns
I
PROGRAMMING TIME: 10
μ
s typical
I
PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)
– Program Byte-by-Byte or Word-by-Word
– Status Register bits and Ready/Busy Output
I
SECURITY PROTECTION MEMORY AREA
I
INSTRUCTION ADDRESS CODING: 3 digits
I
MEMORY BLOCKS
– Boot Block (Top or Bottom location)
– Parameter and Main blocks
I
BLOCK, MULTI-BLOCK and CHIP ERASE
I
MULTI BLOCK PROTECTION/TEMPORARY
UNPROTECTION MODES
I
ERASE SUSPEND and RESUME MODES
– Read and Program another Block during
Erase Suspend
I
LOW POWER CONSUMPTION
– Stand-by and Automatic Stand-by
I
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per
BLOCK
I
20 YEARS DATA RETENTION
– Defectivity below 1ppm/year
I
ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 20h
– Top Device Code, M29W800AT: D7h
– Bottom Device Code, M29W800AB: 5Bh
Figure 1. Logic Diagram
AI02599
19
A0-A18
W
DQ0-DQ14
VCC
M29W800AT
M29W800AB
E
VSS
15
G
RP
DQ15A–1
BYTE
RB
44
1
SO44 (M)
FBGA
TSOP48 (N)
12 x 20mm
LFBGA48 (ZA)
8 x 6 solder balls
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W800AB100M1T | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W800AB100M5T | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W800AB100M6T | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W800AB100N1T | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
| M29W800AB120M5T | 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W800AB120ZA6 | 功能描述:閃存 LFBGA48 1MX8 512KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB80N1 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 80ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB90M1 | 功能描述:閃存 RO 511-M29W800DB70N RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800AB90N1 | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 1Mx8 or 512Kx16 90ns RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| M29W800AB90N1T | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3.3V 8MBIT 1MX8/512KX16 90NS 48TSOP - Tape and Reel |
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