參數(shù)資料
型號(hào)： M29W800AT100ZA5T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
中文描述： 8兆1兆x8或512KB的x16插槽，引導(dǎo)塊低壓單電源閃存
文件頁數(shù)： 23/33頁
文件大?。?/td> 234K
代理商： M29W800AT100ZA5T
23/33
M29W800AT, M29W800AB
Table 21. Data Polling and Toggle Bit AC Characteristics
(1)
(T
A
= 0 to 70
°
C, –20 to 85
°
C or –40 to 85
°
C)
Note: 1. All other timings are defined in Read AC Characteristics table.
Table 22. Data Polling and Toggle Bit AC Characteristics
(1)
(T
A
= 0 to 70
°
C, –20 to 85
°
C or –40 to 85
°
C)
Note: 1. All other timings are defined in Read AC Characteristics table.
Symbol
Parameter
M29W800AT / M29W800AB
Unit
80
90
V
CC
= 3.0V to 3.6V
CL = 30pF
V
CC
= 3.0V to 3.6V
CL = 30pF
Min
Max
Min
Max
t
EHQ7V
Chip Enable High to DQ7 Valid
(Program, E Controlled)
10
2400
10
2400
μ
s
Chip Enable High to DQ7 Valid
(Chip Erase, E Controlled)
1.0
60
1.0
60
sec
t
EHQV
Chip Enable High to Output Valid (Program)
10
2400
10
2400
μ
s
Chip Enable High to Output Valid (Chip Erase)
1.0
60
1.0
60
sec
t
Q7VQV
Q7 Valid to Output Valid (Data Polling)
35
35
ns
t
WHQ7V
Write Enable High to DQ7 Valid
(Program, W Controlled)
10
2400
10
2400
ms
Write Enable High to DQ7 Valid
(Chip Erase, W Controlled)
1.0
60
1.0
60
sec
t
WHQV
Write Enable High to Output Valid (Program)
10
2400
10
2400
μ
s
Write Enable High to Output Valid (Chip Erase)
1.0
60
1.0
60
sec
Symbol
Parameter
M29W800AT / M29W800AB
Unit
100
120
V
CC
= 2.7V to 3.6V
CL = 30pF
V
CC
= 2.7V to 3.6V
CL = 30pF
Min
Max
Min
Max
t
EHQ7V
Chip Enable High to DQ7 Valid
(Program, E Controlled)
10
2400
10
2400
μ
s
Chip Enable High to DQ7 Valid
(Chip Erase, E Controlled)
1.0
60
1.0
60
sec
t
EHQV
Chip Enable High to Output Valid (Program)
10
2400
10
2400
μ
s
Chip Enable High to Output Valid (Chip Erase)
1.0
60
1.0
60
sec
t
Q7VQV
Q7 Valid to Output Valid (Data Polling)
40
50
ns
t
WHQ7V
Write Enable High to DQ7 Valid
(Program, W Controlled)
10
2400
10
2400
ms
Write Enable High to DQ7 Valid
(Chip Erase, W Controlled)
1.0
60
1.0
60
sec
t
WHQV
Write Enable High to Output Valid (Program)
10
2400
10
2400
μ
s
Write Enable High to Output Valid (Chip Erase)
1.0
60
1.0
60
sec
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29W800AB90ZA5T 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AT90ZA5T 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AB80ZA5T 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AT80ZA5T 8 Mbit 1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W800AB90M6T Circular Connector; No. of Contacts:12; Series:JT02R; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:14; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle; Insert Arrangement:14-97
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參數(shù)描述
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M29W800AT120N1 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 120n RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800AT120N6 功能描述:閃存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800AT120ZA6 功能描述:閃存 LFBGA48 1MX8 512KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800AT80N1 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 80ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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