- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359053 > M29W800DB70M6T (意法半導(dǎo)體) Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SOT-23 -40 to 85 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M29W800DB70M6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SOT-23 -40 to 85 |
| 中文描述： | 8兆（1兆x8或512KB的x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 19/41頁 |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | M29W800DB70M6T |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁當(dāng)前第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁
19/41
M29W800DT, M29W800DB
MAXIMUM RATING
Stressing the device above the rating listed in the
Absolute Maximum Ratings" table may cause per-
manent damage to the device. Exposure to Abso-
lute Maximum Rating conditions for extended
periods may affect device reliability. These are
stress ratings only and operation of the device at
these or any other conditions above those indicat-
ed in the Operating sections of this specification is
not implied. Refer also to the STMicroelectronics
SURE Program and other relevant quality docu-
ments.
Table 8. Absolute Maximum Ratings
Note: 1.
Minimum voltage may undershoot to –2V during transition and for less than 20ns during transitions.
2. Maximum voltage may overshoot to V
CC
+2V during transition and for less than 20ns during transitions.
Symbol
Parameter
Min
Max
Unit
T
BIAS
Temperature Under Bias
–50
125
°C
T
STG
Storage Temperature
–65
150
°C
V
IO
Input or Output Voltage
(1,2)
–0.6
V
CC
+0.6
V
V
CC
Supply Voltage
–0.6
4
V
V
ID
Identification Voltage
–0.6
13.5
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W800DB70N1T | Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85 |
| M29W800DB70N6T | Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85 |
| M29W800DB70ZA1T | Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85 |
| M29W800DB70ZA6T | Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85 |
| M29W800DB90N1T | Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SC70 -40 to 85 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W800DB70N1 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800DB70N3T | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800DB70N6 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800DB-70N6 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:NOR Flash, 512K x 16, 48 Pin, Plastic, TSSOP |
| M29W800DB70N6E | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。