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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M29W800DB70ZE1E |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆（1兆x8或512KB的x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 24/42頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 275K |
| 代理商： | M29W800DB70ZE1E |
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M29W800DT, M29W800DB
24/42
Figure 14. Write AC Waveforms, Chip Enable Controlled
Table 14. Write AC Characteristics, Chip Enable Controlled
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
M29W800D
Unit
45
70
90
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
Min
45
70
90
ns
t
WLEL
t
WS
Write Enable Low to Chip Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
ELEH
t
CP
Chip Enable Low to Chip Enable High
Min
30
45
50
ns
t
DVEH
t
DS
Input Valid to Chip Enable High
Min
25
45
50
ns
t
EHDX
t
DH
Chip Enable High to Input Transition
Min
0
0
0
ns
t
EHWH
t
WH
Chip Enable High to Write Enable High
Min
0
0
0
ns
t
EHEL
t
CPH
Chip Enable High to Chip Enable Low
Min
30
30
30
ns
t
AVEL
t
AS
Address Valid to Chip Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
ELAX
t
AH
Chip Enable Low to Address Transition
Min
40
45
50
ns
t
GHEL
Output Enable High Chip Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
EHGL
t
OEH
Chip Enable High to Output Enable Low
Min
0
0
0
ns
t
EHRL (1)
t
BUSY
Program/Erase Valid to RB Low
Max
30
30
35
ns
t
VCHWL
t
VCS
V
CC
High to Write Enable Low
Min
50
50
50
μs
AI05450
E
G
W
A0-A18/
A–1
DQ0-DQ7/
DQ8-DQ15
VALID
VALID
VCC
tVCHWL
tEHWH
tEHEL
tWLEL
tAVEL
tEHGL
tELAX
tEHDX
tAVAV
tDVEH
tELEH
tGHEL
RB
tEHRL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W800DB70ZE1F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB70ZE1T | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB70ZE6E | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB70ZE6F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB70ZE6T | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W800DB70ZE6 | 功能描述:閃存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800DB70ZE6E | 功能描述:閃存 1Mx8 ot 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800DB70ZE6E_NUD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| M29W800DB70ZE6F | 功能描述:閃存 STD FLASH 8 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800DB70ZM6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 70NS TFBGA |
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