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參數(shù)資料
| 型號： | M29W800DB90N1E |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆（1兆x8或512KB的x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 41/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 275K |
| 代理商： | M29W800DB90N1E |
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M29W800DT, M29W800DB
REVISION HISTORY
Table 30. Document Revision History
Date
Version
Revision Details
August 2001
1.0
First Issue
03-Dec-2001
2.0
Block Protection Appendix added, SO44 drawing and package mechanical data updated,
CFI Table 26, address 39h/72h data clarified, Read/Reset operation during Erase
Suspend clarified
01-Mar-2002
3.0
Description of Ready/Busy signal clarified (and
Figure 15.
modified)
Clarified allowable commands during block erase
Clarified the mode the device returns to in the CFI Read Query command section
11-Apr-2002
4.0
Temperature range 1 added
Document promoted from Preliminary Data to full Data Sheet
31-Mar-2003
4.1
Erase Suspend Latency Time (typical and maximum) and Data Retention parameters
added to Table
Table 6., Program, Erase Times and Program, Erase Endurance Cycles
,
and Typical after 100k W/E Cycles column removed. Minimum voltage corrected for 70ns
Speed Class in
Table 9.
,
Operating and AC Measurement Conditions
.
Logic Diagram and Data Toggle Flowchart corrected.
Lead-free package options E and F added to
Table 20., Ordering Information Scheme
.
13-Feb-2004
5.0
TSOP48 package Outline and Mechanical Data updated.
TFBGA48 6x8mm – 6x8 active ball array – 0.80mm pitch added.
Table 9.Operating and AC Measurement Conditions
updated for 70ns speed option.
23-Apr-2004
6.0
Figure 3., SO Connections
updated.
16-Sep-2004
7.0
45ns speed class added.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W800DB90N1F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB90N6E | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB90N6F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB90ZA1E | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB90ZA1F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W800DB90N6 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| M29W800DB90N6T | 功能描述:IC FLASH 8MBIT 90NS 48TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| M29W800DT45N6E | 功能描述:閃存 8 MBIT (1MB) 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800DT45N6F | 功能描述:閃存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800DT45N6F TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 45NS 48TSOP |
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