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參數(shù)資料
| 型號： | M29W800DB90N6F |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆（1兆x8或512KB的x16插槽，引導塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 16/42頁 |
| 文件大小： | 275K |
| 代理商： | M29W800DB90N6F |
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M29W800DT, M29W800DB
16/42
Table 5. Commands, 8-bit mode, BYTE = V
IL
Note: X Don’t Care, PA Program Address, PD Program Data, BA Any address in the Block.
All values in the table are in hexadecimal.
The Command Interface only uses A–1, A0-A10 and DQ0-DQ7 to verify the commands; A11-A18, DQ8-DQ14 and DQ15 are Don’t
Care. DQ15A–1 is A–1 when BYTE is V
IL
or DQ15 when BYTE is V
IH
.
Table 6. Program, Erase Times and Program, Erase Endurance Cycles
Note: 1. Typical values measured at room temperature and nominal voltages.
2. Sampled, but not 100% tested.
3. Maximum value measured at worst case conditions for both temperature and V
CC
after 100,00 program/erase cycles.
4. Maximum value measured at worst case conditions for both temperature and V
CC
.
Command
L
Bus Write Operations
1st
2nd
3rd
4th
5th
6th
Addr
Data
Addr
Data
Addr
Data
Addr
Data
Addr
Data
Addr
Data
Read/Reset
1
X
F0
3
AAA
AA
555
55
X
F0
Auto Select
3
AAA
AA
555
55
AAA
90
Program
4
AAA
AA
555
55
AAA
A0
PA
PD
Unlock Bypass
3
AAA
AA
555
55
AAA
20
Unlock Bypass
Program
2
X
A0
PA
PD
Unlock Bypass Reset
2
X
90
X
00
Chip Erase
6
AAA
AA
555
55
AAA
80
AAA
AA
555
55
AAA
10
Block Erase
6+
AAA
AA
555
55
AAA
80
AAA
AA
555
55
BA
30
Erase Suspend
1
X
B0
Erase Resume
1
X
30
Read CFI Query
1
AA
98
Parameter
Min
Typ
(1, 2)
Max
(2)
Unit
Chip Erase
12
60
(3)
s
Block Erase (64 Kbytes)
0.8
6
(4)
s
Erase Suspend Latency Time
15
25
(3)
μs
Program (Byte or Word)
10
200
(3)
μs
Chip Program (Byte by Byte)
12
60
(3)
s
Chip Program (Word by Word)
6
30
(4)
s
Program/Erase Cycles (per Block)
100,000
cycles
Data Retention
20
years
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W800DB90ZA1E | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB90ZA1F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB90ZA6E | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M2FH3 | SCHOTTKY RECTIFIERS (SBD) |
| M2FM3 | SCHOTTKY RECTIFIERS (SBD) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W800DB90N6T | 功能描述:IC FLASH 8MBIT 90NS 48TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| M29W800DT45N6E | 功能描述:閃存 8 MBIT (1MB) 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800DT45N6F | 功能描述:閃存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800DT45N6F TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 45NS 48TSOP |
| M29W800DT45ZE6E | 功能描述:閃存 8 MBIT (1MB) 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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