參數資料
型號: M29W800DB90ZA1T
廠商: 意法半導體
英文描述: Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SOT -40 to 85
中文描述: 8兆(1兆x8或512KB的x16插槽,引導塊)3V電源快閃記憶體
文件頁數: 40/41頁
文件大小: 219K
代理商: M29W800DB90ZA1T
M29W800DT, M29W800DB
40/41
Figure 19. In-System Equipment Chip Unprotect Flowchart
AI03472
WRITE 60h
ANY ADDRESS WITH
A0 = VIL, A1 = VIH, A6 = VIH
n = 0
CURRENT BLOCK = 0
Wait 10ms
WRITE 40h
ADDRESS = CURRENT BLOCK ADDRESS
A0 = VIL, A1 = VIH, A6 = VIH
RP = VIH
++n
= 1000
START
FAIL
PASS
YES
NO
DATA
=
00h
YES
NO
RP = VIH
Wait 4μs
READ DATA
ADDRESS = CURRENT BLOCK ADDRESS
A0 = VIL, A1 = VIH, A6 = VIH
RP = VID
ISSUE READ/RESET
COMMAND
ISSUE READ/RESET
COMMAND
PROTECT ALL BLOCKS
INCREMENT
CURRENT BLOCK
LAST
BLOCK
YES
NO
WRITE 60h
ANY ADDRESS WITH
A0 = VIL, A1 = VIH, A6 = VIH
V
U
S
E
相關PDF資料
PDF描述
M29W800DB90ZA6T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SOT -40 to 85
M29W800DT Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-DSBGA -40 to 85
M29W800DT70M1T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SOT-23 -40 to 85
M29W800DT70M6T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SOT-23 -40 to 85
M29W800DT70N1T Low-Power Configurable Multiple-Function Gate 6-SOT-23 -40 to 85
相關代理商/技術參數
參數描述
M29W800DT45N6E 功能描述:閃存 8 MBIT (1MB) 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800DT45N6F 功能描述:閃存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800DT45N6F TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 45NS 48TSOP
M29W800DT45ZE6E 功能描述:閃存 8 MBIT (1MB) 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W800DT45ZE6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Tape and Reel