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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M30620FCMGP |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER |
| 中文描述： | 單片16位CMOS微機(jī) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 192/274頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 3495K |
| 代理商： | M30620FCMGP |
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Mitsubishi microcomputers
M16C / 62A Group
SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER
Timing (Vcc = 3V)
192
9
10
Min.
Data input setup time
RDY input setup time
HOLD input setup time
ns
ns
ns
t
su(DB-RD)
t
su(RDY-BCLK )
t
su(HOLD-BCLK )
Parameter
Symbol
Unit
Max.
(Note)
(Note)
(Note)
Standard
Data input hold time
RDY input hold time
HOLD input hold time
HLDA output delay time
ns
ns
ns
ns
t
h(RD-DB)
t
h(BCLK -RDY)
t
h(BCLK-HOLD )
t
d(BCLK-HLDA)
Data input access time (no wait)
Data input access time (with wait)
Data input access time (when accessing multiplex bus area)
ns
ns
ns
t
ac1(RD-DB)
t
ac2(RD-DB)
t
ac3(RD-DB)
80
60
80
0
0
0
Note: Calculated according to the BCLK frequency as follows:
100
ns
ns
t
c
t
w(H
)
t
w(L)
t
r
t
f
Max.
Min.
Parameter
Symbol
Unit
Standard
External clock rise time
External clock fall time
External clock input
cycle time
External clock input
HIGH pulse width
External clock input
LOW pulse width
18
18
t
ac1(RD – DB) =f(BCLK) X 2 – 90
[ns]
t
ac2(RD – DB) =
f(BCLK) X 2 – 90
3 X 10
9
[ns]
t
ac3(RD – DB) =
f(BCLK) X 2 – 90
3 X 10
9
[ns]
Mask ROM, Flash memory (5V version)
Mask ROM, Flash memory (5V version)
Mask ROM, Flash memory (5V version)
ns
100
ns
40
ns
40
V
CC
= 3V
Table 1.23.25. Memory expansion and microprocessor modes
Timing requirements (referenced to V
CC
= 3V, V
SS
= 0V at Ta =
–
20
o
C to 85
o
C /
–
40
o
C to 85
o
C
(*)
unless otherwise specified)
* : Specify a product of -40
°
C to 85
°
C to use it.
Table 1.23.24. External clock input
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M30620M8A-XXXFP | SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER |
| M30620M8A-XXXGP | SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER |
| M30624FGMFP | SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER |
| M30624FGMGP | SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER |
| M30624FGAFP | SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| M30620FCNFP#U3 | 功能描述:MCU 3V 128K I-TEMP PB-FREE 100-Q RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:M16C™ M16C/60 標(biāo)準(zhǔn)包裝:160 系列:S08 核心處理器:S08 芯體尺寸:8-位 速度:40MHz 連通性:I²C，LIN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:LCD，LVD，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):53 程序存儲(chǔ)器容量:32KB（32K x 8） 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:1.9K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 12x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 105°C 封裝/外殼:64-LQFP 包裝:托盤 |
| M30620FCNGP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER |
| M30620FCNGP#U3 | 功能描述:MCU 3V 128K I-TEMP PB-FREE 100-L RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:M16C™ M16C/60 標(biāo)準(zhǔn)包裝:160 系列:S08 核心處理器:S08 芯體尺寸:8-位 速度:40MHz 連通性:I²C，LIN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:LCD，LVD，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):53 程序存儲(chǔ)器容量:32KB（32K x 8） 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:1.9K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 12x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 105°C 封裝/外殼:64-LQFP 包裝:托盤 |
| M30620FCNGP#U5 | 功能描述:IC M16C MCU FLASH 100LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:M16C™ M16C/60 標(biāo)準(zhǔn)包裝:160 系列:S08 核心處理器:S08 芯體尺寸:8-位 速度:40MHz 連通性:I²C，LIN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:LCD，LVD，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):53 程序存儲(chǔ)器容量:32KB（32K x 8） 程序存儲(chǔ)器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:1.9K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 12x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 105°C 封裝/外殼:64-LQFP 包裝:托盤 |
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