參數(shù)資料
型號： M306S0FA-XXXGP
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 16-BIT, FLASH, 15.36 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP64
封裝： PLASTIC, LQFP-64
文件頁數(shù)： 71/210頁
文件大?。?/td> 1477K
代理商： M306S0FA-XXXGP
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Rev.5.01
Dec 10, 2009
page 160 of 201
REJ03B0014-0501
M16C/6S Group
Table 1.20.1. Flash Memory Version Specifications
Flash Memory Version
Flash Memory Performance
The flash memory version has three modes—CPU rewrite, standard serial input/output, and parallel input/
output modes—in which its internal flash memory can be operated on.
Note: About the parallel programmer of exclusive use, there is no schedule of development at the present time.
Table 1.20.1 shows the outline performance of flash memory version (see Table 1.1.1 for the items not
listed in Table 1.20.1.).
Flash Memory Version
Table 1.20.2. Flash Memory Rewrite Modes Overview
Flash memory
CPU rewrite mode
Standard serial I/O mode
rewrite mode
Function
Areas which
User ROM area
can be rewritten
Operation
Single chip mode
Boot mode
mode
Memory expansion mode
(EW0 mode)
Boot mode (EW0 mode)
ROM
None
Serial programmer
programmer
The user ROM area is rewrit-
ten by executing software
commands from the CPU.
EW0 mode:
Can be rewritten in any
area other than the flash
memory
EW1 mode:
Can be rewritten in the
flash memory
The user ROM area is rewrit-
ten by using a dedicated se-
rial programmer.
Standard serial I/O mode 1:
Clock sync serial I/O
Standard serial I/O mode 2:
UART
Item
Flash memory operating mode
Erase block
Program method
Erase method
Program, erase control method
Protect method
Number of commands
Program/Erase
Endurance(Note)
ROM code protection
Specification
2 modes (CPU rewrite, standard serial I/O)
See Figure 1.20.1 Flash Memory Block Diagram
In units of word
Block erase
Program and erase controlled by software command
The block 0 and block 1 are write protected by bit FMR02.
5 commands
100 times or 1,000 times (See Tables 1.1.5 and 1.1.6 Product code.)
Standard serial I/O mode is supported.
Data Retention
20 years (Topr = 55°C)
Block 0 to 4 (program area)
Note: Program and erase endurance definition
Program and erase endurance are the erase endurance of each block. If the program and erase endurance are
n times (n=100,1,000), each block can be erased n times. For example, if a 8-Kbyte block 0 is erased
after writing 1 word data 4096 times, each to different addresses, this is counted as one program and erasure.
However, data cannot be written to the same address more than once without erasing the block. (Rewrite disabled)
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