參數資料
型號： M30800SGP-BL
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 16-BIT, MROM, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100
文件頁數： 198/358頁
文件大小： 3390K
代理商： M30800SGP-BL
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A
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-
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0
B
9
0
J
E
R
Page 266
28. Electrical characteristics
p
u
o
r
G
0
8
/
C
6
1
M
Figure 28.23 VCC=3V timing diagram (9)
BCLK
DW
DB
MAi
td(BCLK-RAS) + tsu(DB-BCLK)
td(BCLK-CAS) + tsu(DB-BCLK)
td(BCLK-CAD) + tsu(DB-BCLK)
tac4(RAS-DB)=(tcyc/2 x m-55)ns.max (m=3 and 5 when 1 wait and 2 wait, respectively.)
tac4(CAS-DB)=(tcyc/2 x n-55)ns.max (n=1 and 3 when 1 wait and 2 wait, respectively.)
tac4(CAD-DB)=(tcyc x l-55)ns.max (l=1 and 2 when 1 wait and 2 wait, respectively.)
th(RAS-RAD)=(tcyc/2-25)ns.min
tRP=(tcyc/2 x 3-40)ns.min
Vcc=3V
RAS
CASL
CASH
Hi-Z
tac4(CAS-DB)*2
25ns.max*1
th(BCLK-CAD)
0ns.min
tcyc
td(BCLK-RAD)
tac4(RAS-DB)*2
Row address
String address
th(BCLK-RAD)
0ns.min
25ns.max*1
td(BCLK-CAD)
25ns.max*1
td(BCLK-RAS)
25ns.max*1
td(BCLK-CAS)
th(RAS-RAD)*2
tRP*2
tac4(CAD-DB)*2
th(BCLK-RAS)
0ns.min
th(BCLK-CAS)
0ns.min
tsu(DB-BCLK)
40ns.min*1
th(CAS-DB)
*2:It depends on operation frequency.
Measuring conditions
VCC=3V±10%
Input timing voltage
:Determined with VIH=1.5V, VIL=0.5V
Output timing voltage
:Determined with VOH=1.5V, VOL=1.5V
Read Timing
Memory expansion Mode and Microprocessor Mode
(When accessing DRAM area with 2 wait)
*1:It is a guarantee value with being alone. 55ns.max garantees as follows:
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PDF描述
M30800FCGP 16-BIT, FLASH, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100
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M30803SFP-BL 16-BIT, MROM, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100
M30800FCFP 16-BIT, FLASH, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100
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