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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M368L6523BTM-LCC |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II |
| 中文描述： | DDR SDRAM的緩沖模塊184pin緩沖模塊基于512Mb乙芯片與64/72-bit非ECC / ECC的66 TSOP-II |
| 文件頁數(shù)： | 25/25頁 |
| 文件大小： | 464K |
| 代理商： | M368L6523BTM-LCC |
DDR SDRAM
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMM
Rev. 1.1 June 2005
(Populated as 2 bank of x8 DDR SDRAM Module)
6.4 1GB, 128M x 64 Non ECC Module (M368L2923BT(U))
CS0
DQS0
DM0
DM/
CS
DQS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
D0
DQS1
DM1
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CS
DQS
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DQ14
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D1
DQS2
DM2
DM/
CS
DQS
DQ16
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DQ22
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D2
DQS3
DM3
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CS
DQS
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D3
DQS4
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CS
DQS
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DQS5
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CS
DQS
DQ40
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D5
DQS6
DM6
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CS
DQS
DQ48
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D6
DQS7
DM7
DM/
CS
DQS
DQ56
DQ57
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DQ63
D7
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 5
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 7
I/O 4
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I/O 2
I/O 5
I/O 4
I/O 1
I/O 0
I/O 7
I/O 6
I/O 3
I/O 2
I/O 5
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 7
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 2
I/O 5
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I/O 3
I/O 0
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 2
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I/O 3
I/O 0
I/O 7
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I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
DM/
CS
DQS
D8
DM/
CS
DQS
D9
DM/
CS
DQS
D10
DM/
CS
DQS
D11
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
DM/
CS
DQS
D12
DM/
CS
DQS
D13
DM/
CS
DQS
D14
DM/
CS
DQS
D15
CS1
I/O 2
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 0
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 2
I/O 3
I/O 6
I/O 7
I/O 0
I/O 1
I/O 4
I/O 5
I/O 2
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 0
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 5
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 7
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 5
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 7
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
A0 - A12
A0-A12: DDR SDRAMs D0 - D15
RAS
RAS : DDR SDRAMs D0 - D15
CAS
CAS : DDR SDRAMs D0 - D15
WE
WE : DDR SDRAMs D0 - D15
BA0 - BA1
BA0-BA1 : DDR SDRAMs D0 - D15
VSS
D0 - D15
VDD/VDDQ
D0 - D15
VREF
VDDSPD
SPD
D0 - D15
*Clock Net Wiring
* Clock Wiring
Clock
Input
DDR SDRAMs
*CK0/CK0
*CK1/CK1
*CK2/CK2
4 DDR SDRAMs
6 DDR SDRAMs
A0
Serial PD
A1
A2
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
WP
Card
Edge
D3/D0/D5
D11/D8/D13
Cap/D1/D6
Cap/D9/D14
D4/D2/D7
D12/D10/D15
R=120
CK0/1/2
*
CKE 0/1
CKE : DDR SDRAMs D0 - D15
CK0/1/2
Notes :
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recommended
but may be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must be
maintained as shown.
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms + 5%.
4. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors: 3 Ohms +
5%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M368L6523BTN-LB3 | DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| M368L6523BTN-LB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II |
| M368L6523BUM-CCC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II |
| M368L6523BUM-LCC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II |
| M368L6523BUN-CB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II |
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