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參數(shù)資料
| 型號： | M368L6523BUM-CCC |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II |
| 中文描述： | DDR SDRAM的緩沖模塊184pin緩沖模塊基于512Mb乙芯片與64/72-bit非ECC / ECC的66 TSOP-II |
| 文件頁數(shù)： | 24/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 464K |
| 代理商： | M368L6523BUM-CCC |
DDR SDRAM
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMM
Rev. 1.1 June 2005
(Populated as 1 bank of x8 DDR SDRAM Module)
6.3 512MB, 64M x 72 ECC Module (M381L6523BT(U))
A0 - A12
A0-A12 : DDR SDRAMs D0 - D8
RAS
RAS : DDR SDRAMs D0 - D8
CAS
CAS : DDR SDRAMs D0 - D8
WE
WE : DDR SDRAMs D0 - D8
CKE0
CKE : DDR SDRAMs D0 - D8
BA0 - BA1
BA0-BA1 : DDR SDRAMs D0 - D8
VSS
D0 - D8
VDD/VDDQ
D0 - D8
VREF
VDDSPD
SPD
D0 - D8
*Clock Net Wiring
* Clock Wiring
Clock
Input
DDR SDRAMs
*CK0/CK0
*CK1/CK1
*CK2/CK2
3 DDR SDRAMs
A0
Serial PD
A1
A2
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
WP
CS0
DQS0
DM0
DM/
CS
DQS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
D0
DQS1
DM1
DM/
CS
DQS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
D1
DQS2
DM2
DM/
CS
DQS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
D2
DQS3
DM3
DM/
CS
DQS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
D3
DQS4
DM4
DM/
CS
DQS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
D4
DQS5
DM5
DM/
CS
DQS
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
D5
DQS6
DM6
DM/
CS
DQS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
D6
DQS7
DM7
DM/
CS
DQS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
D7
I/O 6
I/O 4
I/O 2
I/O 0
I/O 7
I/O 5
I/O 3
I/O 1
I/O 7
I/O 5
I/O 1
I/O 0
I/O 6
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 6
I/O 5
I/O 3
I/O 0
I/O 7
I/O 4
I/O 2
I/O 1
I/O 7
I/O 4
I/O 3
I/O 1
I/O 6
I/O 5
I/O 2
I/O 0
I/O 7
I/O 4
I/O 3
I/O 0
I/O 6
I/O 5
I/O 2
I/O 1
I/O 6
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 7
I/O 5
I/O 1
I/O 0
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 5
I/O 4
I/O 1
I/O 0
I/O 7
I/O 6
I/O 3
I/O 2
DQS8
DM8
DM/
CS
DQS
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
CB6
CB7
D8
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 1
I/O 7
I/O 6
I/O 2
I/O 0
Card
Edge
D3/D0/D6
Cap/Cap/Cap
D4/D1/D7
Cap/Cap/Cap
D5/D2/D8
Cap/Cap/Cap
R=120
CK0/1/2
Notes :
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recommended
but may be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must be
maintained as shown.
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms + 5%.
4. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors: 5.1 Ohms +
5%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M368L6523BUM-LCC | DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II |
| M368L6523BUN-LB3 | DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II |
| M36L0T7050T0ZAQE | 128Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory 32Mbit (2M x16) PSRAM, Multi-Chip Package |
| M36L0T7050T0ZAQF | 128Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory 32Mbit (2M x16) PSRAM, Multi-Chip Package |
| M36L0T7050T0ZAQT | 128Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory 32Mbit (2M x16) PSRAM, Multi-Chip Package |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M368L6523BUM-LCC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II |
| M368L6523BUN-CB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II |
| M368L6523BUN-LB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II |
| M368L6523CUS | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module |
| M368L6523CUS-CCC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module |
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