參數(shù)資料
型號(hào)： M378T6453FZ3-CD5
元件分類： DRAM
英文描述： 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, DMA240
封裝： ROHS COMPLIANT, DIMM-240
文件頁(yè)數(shù)： 6/20頁(yè)
文件大?。?/td> 382K
代理商： M378T6453FZ3-CD5
Rev. 1.3 Aug. 2005
256MB, 512MB Unbuffered DIMMs
DDR2 SDRAM
Operating Current Table(1-2) (TA=0oC, VDD= 1.9V)
M391T3253FG(Z)3 / M391T3253FG(Z)0 : 256MB(32Mx8 *9) ECC Module
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
Symbol
E6
(DDR2-667@CL=5)
D5
(DDR2-533@CL=4)
CC
(DDR2-400@CL=3)
Unit
Notes
IDD0
945
900
855
mA
IDD1
1,035
990
900
mA
IDD2P
72
mA
IDD2Q
270
225
mA
IDD2N
315
270
mA
IDD3P-F
315
270
mA
IDD3P-S
135
mA
IDD3N
675
630
585
mA
IDD4W
1,890
1,575
1,215
mA
IDD4R
1,665
1,440
1,170
mA
IDD5B
1,530
1,485
1,440
mA
IDD6
Normal
45
mA
IDD7
2,385
2,295
mA
M391T6453FG(Z)3 / M391T6453FG(Z)0 : 512MB(32Mx8 *18) ECC Module
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
Symbol
E6
(DDR2-667@CL=5)
D5
(DDR2-533@CL=4)
CC
(DDR2-400@CL=3)
Unit
Notes
IDD0
1,620
1,530
1,440
mA
IDD1
1,710
1,620
1,485
mA
IDD2P
144
mA
IDD2Q
540
450
mA
IDD2N
630
540
mA
IDD3P-F
630
540
mA
IDD3P-S
270
mA
IDD3N
1,350
1,260
1,170
mA
IDD4W
2,565
2,205
1,800
mA
IDD4R
2,340
2,070
1,755
mA
IDD5B
2,205
2,115
2,025
mA
IDD6
Normal
90
mA
IDD7
3,060
2,925
2,880
mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M38030F8-XXXHP SINGLE-CHIP 8-BIT CMOS MICROCOMPUTER
M38030F8-XXXKP SINGLE-CHIP 8-BIT CMOS MICROCOMPUTER
M38030F8L-XXXHP SINGLE-CHIP 8-BIT CMOS MICROCOMPUTER
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參數(shù)描述
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M378T6553BG(Z)0-CD5/CC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:240pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die 64/72-bit Non-ECC/ECC
M378T6553BG(Z)3-CD5/CC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:240pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die 64/72-bit Non-ECC/ECC
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