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參數資料
| 型號： | M50LPW040N1T |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block 3V Supply Low Pin Count Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位512KB的× 8，統一座3V電源低引腳數快閃記憶體 |
| 文件頁數： | 30/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 272K |
| 代理商： | M50LPW040N1T |
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M50LPW040
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Figure 17. Chip Erase Flowchart and Pseudo Code (A/A Mux Interface Only)
Note: 1. If an error is found, the Status Register must be cleared before further Program/Erase Controller operations.
Write 80h
AI04195
Start
Write 10h
Read Status
Register
YES
NO
b7 = 1
YES
NO
b3 = 0
NO
b4, b5 = 0
VPP Invalid
Error (1)
Command
Sequence Error (1)
Chip Erase command:
– write 80h
– write 10h
(memory enters read Status Register after
the Chip Erase command)
do:
– read Status Register
while b7 = 1
If b3 = 1, VPP invalid error:
– error handler
If b4, b5 = 1, Command sequence error:
– error handler
YES
NO
b5 = 0
Erase Error (1)
If b5 = 1, Erase error:
– error handler
End
YES
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M50LPW040N5T | 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block 3V Supply Low Pin Count Flash Memory |
| M52D128168A | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52D128168A-10BG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52D128168A-10TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52D128168A-7.5BG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| M50LPW040N5G | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL/SERL 3V/3.3V 4MBIT 512KX8 30NS 40TSOP - Bulk |
| M50LPW040N5T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block 3V Supply Low Pin Count Flash Memory |
| M50LPW041 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block 3V Supply Low Pin Count Flash Memory |
| M50LPW041K | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block 3V Supply Low Pin Count Flash Memory |
| M50LPW041K1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block 3V Supply Low Pin Count Flash Memory |
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