參數(shù)資料
型號： M50LPW040N
廠商： 意法半導體
英文描述： 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block 3V Supply Low Pin Count Flash Memory
中文描述： 4兆位512KB的× 8，統(tǒng)一座3V電源低引腳數(shù)快閃記憶體
文件頁數(shù)： 25/36頁
文件大?。?/td> 272K
代理商： M50LPW040N
25/36
M50LPW040
Table 25. A/A Mux Interface Write AC Characteristics
(T
A
= 0 to 70°C or –20 to 85°C; V
CC
= 3.0 to 3.6V)
Symbol
Parameter
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. Applicable if V
PP
is seen as a logic input (V
PP
< 3.6V).
Test Condition
Value
Unit
t
WLWH
Write Enable Low to Write Enable High
Min
100
ns
t
DVWH
Data Valid to Write Enable High
Min
50
ns
t
WHDX
Write Enable High to Data Transition
Min
5
ns
t
AVCL
Row Address Valid to RC Low
Min
50
ns
t
CLAX
RC Low to Row Address Transition
Min
50
ns
t
AVCH
Column Address Valid to RC High
Min
50
ns
t
CHAX
RC High to Column Address Transition
Min
50
ns
t
WHWL
Write Enable High to Write Enable Low
Min
100
ns
t
CHWH
RC High to Write Enable High
Min
50
ns
t
VPHWH(1)
V
PP
High to Write Enable High
Min
100
ns
t
WHGL
Write Enable High to Output Enable Low
Min
30
ns
t
WHRL
Write Enable High to RB Low
Min
0
ns
t
QVVPL(1,2)
Output Valid, RB High to V
PP
Low
Min
0
ns
相關PDF資料
PDF描述
M50LPW040N1T 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block 3V Supply Low Pin Count Flash Memory
M50LPW040N5T 4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block 3V Supply Low Pin Count Flash Memory
M52D128168A 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M52D128168A-10BG 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M52D128168A-10TG 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
M50LPW040N1 功能描述:閃存 3.6V 4M (512Kx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M50LPW040N1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block 3V Supply Low Pin Count Flash Memory
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