- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄377830 > M52D16161A-10TG (ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC) 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M52D16161A-10TG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 9 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-50 |
| 文件頁數(shù)： | 17/29頁 |
| 文件大小： | 771K |
| 代理商： | M52D16161A-10TG |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁當前第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁
ES MT
Page Write Cycle at Different Bank @Burst Length = 4
M52D16161A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
Apr. 2007
Revision
:
1.5
17/29
*Note: 1.To interrupt burst write by Row precharge, DQM should be asserted to mask invalid input data.
2.To interrupt burst write by row precharge, both the write and the precharge banks must be the same.
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
BA
ADDR
A10/AP
WE
DQM
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Write
(A-Bank)
Precharge
(Both Banks)
: Don't care
DQ
Write
(A-Bank)
Write
(B-Bank)
Write
(B-Bank)
DAa0
DAa1 DAa2
DAa3
DBb0
DBb1
DBb2 DBb3
DAc0
DAc1
DBd0
DBd1
RAa
RBb
RAa
CAa
RBb
CBb
CAc
CBd
*Note2
t
CDL
t
RDL
*Note1
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M52D32162A | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D32162A-10BG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D32162A-10TG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D32162A-7.5BG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D32162A-7.5TG | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M52D16161A-10TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A-6BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A-6TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A-7.5BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A-7.5TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。