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參數(shù)資料
| 型號： | M58LW064A150NH1T |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| 中文描述： | 64兆位x16和x16/x32，塊擦除低壓閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 27/53頁 |
| 文件大小： | 319K |
| 代理商： | M58LW064A150NH1T |
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M58LW064A, M58LW064B
Figure 8. AC Testing Load Circuit
AI03229
1.3V
OUT
CL= 30pF
CLincludes JIG capacitance
3.3k
1N914
DEVICE
UNDER
TEST
Figure 7. AC Testing Input Output Waveform
Note: V
DD
= V
DDQ
.
AI00610
VDDQ
0V
VDDQ/2
Table 20. AC Measurement Conditions
Clock Rise and Fall Times
≤
3ns
Input Rise and Fall Times
≤
4ns
Input Pulses Voltages
0V to V
DDQ
Input and Output Timing Ref. Voltages
V
DDQ
/2
Table 21. Capacitance
(T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
Symbol
Parameter
Test Condition
Typ
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
6
8
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
8
12
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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