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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M58LW064B150NH1T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| 中文描述： | 64兆位x16和x16/x32，塊擦除低壓閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 50/53頁(yè) |
| 文件大小： | 319K |
| 代理商： | M58LW064B150NH1T |
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M58LW064A, M58LW064B
50/53
Table 31. TSOP86 Type II, Package Mechanical Data
Symbol
mm
inch
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.200
0.0472
A1
0.050
0.0020
A2
0.950
1.150
0.0374
0.0453
b
0.220
0.170
0.300
0.0087
0.0067
0.0118
C
0.145
–
–
0.0057
–
–
D
22.220
22.120
22.320
0.8748
0.8709
0.8787
E
11.760
11.560
11.960
0.4630
0.4551
0.4709
E1
10.160
10.060
10.260
0.4000
0.3961
0.4039
e
0.500
–
–
0.0197
L
0.450
0.750
0.0177
0.0295
α
0
°
8
°
0
°
8
°
N
86
86
CP
0.100
0.0039
Figure 28. TSOP86 Type II, Package Outline
Drawing is not to scale.
TSOP-e
N
1
CP
A
L
A1
α
N/2
D
e
b
E1
E
C
A2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58LW064A150NH1T | 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| M58LW064C110ZA6T | 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064C110N6T | 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064D | 64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064D110N1 | 64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58LW064B150NH6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| M58LW064B150T1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| M58LW064B150T6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| M58LW064B150ZA1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| M58LW064B150ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
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