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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M58LW128B150ZA6F |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| 中文描述： | 128兆位和8Mb x16或4Mb的X32號(hào)，統(tǒng)一座，突發(fā)3V電源閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 28/65頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 932K |
| 代理商： | M58LW128B150ZA6F |
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M58LW128A, M58LW128B
28/65
Table 11. Program, Erase Times and Program Erase Endurance Cycles
Note: (T
A
= 0 to 70°C; V
DD
= 2.7V to 3.6V; V
DDQ
=1.8V)
Parameters
M58LW128A/B
Unit
Min
Typ
Typical after
100k W/E Cycles
Max
Block (1Mb) Erase
0.75
0.75
5
s
Block Program
0.8
0.8
s
Program Write Buffer
192
192
μs
Program Suspend Latency Time
3
10
μs
Erase Suspend Latency Time
10
30
μs
Block Protect Time
192
μs
Blocks Unprotect Time
0.75
s
Program/Erase Cycles (per Block)
100,000
cycles
Data Retention
20
years
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58LW128B150ZA6T | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150N1E | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150N1F | 128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128B150N1T | RECEPTACLE HOUSING, 5WAY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58LW128B150ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128BZA | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x16 or 4Mb x32, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memories |
| M58LW128D110N1 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128M (16MX8/8MX16) 3V, UNIFORM SECTOR, TSOP56, COM - Trays |
| M58LW64D | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
| M58MR016C | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
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