參數(shù)資料
型號： M59DR008
廠商： 意法半導體
英文描述： 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
中文描述： 8兆位512KB的x16插槽，雙行，第低壓閃存
文件頁數(shù)： 27/37頁
文件大?。?/td> 267K
代理商： M59DR008
27/37
M59DR008E, M59DR008F
Figure 8. Write AC Waveforms, E Controlled
Note: Address are latched on the falling edge of E, Data is latched on the rising edge of E.
AI03218
E
G
W
A0-A18
DQ0-DQ15
VALID
VALID
VDD
tVDHWL
tEHWH
tEHEL
tWLEL
tAVEL
tEHGL
tELAX
tEHDX
tAVAV
tDVEH
tELEH
tGHEL
相關PDF資料
PDF描述
M59DR008E100N1T Circular Connector; MIL SPEC:MIL-DTL-38999 Series III; Body Material:Metal; Series:TV07; No. of Contacts:56; Connector Shell Size:25; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Jam Nut Receptacle; Body Style:Straight
M59DR008E100N6T Circular Connector; MIL SPEC:MIL-DTL-38999 Series III; Body Material:Metal; Series:TV07; Number of Contacts:56; Connector Shell Size:25; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Jam Nut Receptacle; Body Style:Straight
M59DR008E100ZB1T 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E100ZB6T 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
M59DR008E 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E100N1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E100N6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E100ZB1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E100ZB6T 功能描述:閃存 8M (512Kx16) 100ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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