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參數(shù)資料
| 型號： | M59DR008F100ZB1T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位512KB的x16插槽，雙行，第低壓閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 24/37頁 |
| 文件大小： | 267K |
| 代理商： | M59DR008F100ZB1T |
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M59DR008E, M59DR008F
24/37
Table 26. Write AC Characteristics, Write Enable Controlled
(T
A
= 0 to 70 °C or –40 to 85 °C; V
DD
= V
DDQ
= 1.65V to 2.2V)
Symbol
Alt
Parameter
M59DR008
Unit
100
120
Min
Max
Min
Max
t
AVAV
t
WC
Address Valid to Next Address Valid
100
120
ns
t
ELWL
t
CS
Chip Enable Low to Write Enable Low
0
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Enable Low to Write Enable High
50
50
ns
t
DVWH
t
DS
Input Valid to Write Enable High
50
50
ns
t
WHDX
t
DH
Write Enable High to Input Transition
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
Write Enable High to Chip Enable High
0
0
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Enable High to Write Enable Low
30
30
ns
t
AVWL
t
AS
Address Valid to Write Enable Low
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Write Enable Low to Address Transition
50
50
ns
t
GHWL
Output Enable High to Write Enable Low
0
0
ns
t
VDHEL
t
VCS
V
DD
High to Chip Enable Low
50
50
μs
t
WHGL
t
OEH
Write Enable High to Output Enable Low
30
30
ns
t
PLQ7V
RP Low to Reset Complete During
Program/Erase
15
15
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M59DR008F100ZB6T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008E120N1T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008E120N6T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008E120ZB1T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008E120ZB6T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M59DR008F100ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F120N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F120N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F120ZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F120ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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