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參數(shù)資料
| 型號： | M59DR008F100ZB6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位512KB的x16插槽，雙行，第低壓閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 35/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 267K |
| 代理商： | M59DR008F100ZB6T |
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35/37
M59DR008E, M59DR008F
Table 32. FBGA48 - 8 x 6 balls, 0.75 mm pitch, Package Mechanical Data
Symbol
mm
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.250
0.492
A1
0.300
0.250
0.350
0.012
0.010
0.014
A2
0.700
0.275
b
0.450
0.400
0.550
0.018
0.016
0.022
ddd
0.075
0.003
D
7.000
6.800
7.200
0.276
0.268
0.283
D1
5.250
–
–
0.207
–
–
e
0.750
–
–
0.030
–
–
E
7.000
6.800
7.200
0.315
0.307
0.323
E1
3.750
–
–
0.148
–
–
SD
0.375
–
–
0.015
–
–
SE
0.375
–
–
0.015
–
–
Figure 15. FBGA48 - 8 x 6 balls, 0.75 mm pitch, Package Outline
Drawing is not to scale.
E1
E
D1
D
A2
A1
A
BGA-Z09
ddd
BALL "A1"
e
b
SD
SE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M59DR008E120N1T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008E120N6T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008E120ZB1T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008E120ZB6T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F120N1T | 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M59DR008F120N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F120N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F120ZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008F120ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR008FN | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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