參數(shù)資料
型號(hào)： M59DR008FZB
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
中文描述： 8兆位512KB的x16插槽，雙行，第低壓閃存
文件頁(yè)數(shù)： 22/37頁(yè)
文件大?。?/td> 267K
代理商： M59DR008FZB
M59DR008E, M59DR008F
22/37
Figure 5. Random Read AC Waveforms
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
M59DR008EN 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008F 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008F100N1T 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008F100N6T 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008F100ZB1T 8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M59DR016 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory
M59DR016C 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory
M59DR016C100ZB1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory
M59DR016C100ZB6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit 1Mb x16, Dual Bank, Page 1.8V Supply Flash Memory
M59DR016C120ZA6T 功能描述:閃存 16M (1Mx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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