參數(shù)資料
型號(hào)： M59DR032F100N1T
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 2M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù)： 14/38頁
文件大?。?/td> 270K
代理商： M59DR032F100N1T
21/38
M59DR032A, M59DR032B
Table 23. Capacitance (1)
(TA = 25 °C, f = 1 MHz)
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 0V
6pF
COUT
Output Capacitance
VOUT = 0V
12
pF
Figure 4. AC Testing Load Circuit
AI02316
VDDQ / 2
OUT
CL = 30pF
CL includes JIG capacitance
3.3k
1N914
DEVICE
UNDER
TEST
Table 24. AC Measurement Conditions
Input Rise and Fall Times
≤ 4ns
Input Pulse Voltages
0 to VDDQ
Input and Output Timing Ref. Voltages
VDDQ/2
Figure 3. Testing Input/Output Waveforms
AI02315
VDDQ
0V
VDDQ/2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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M5F7920 20 V FIXED NEGATIVE REGULATOR, PSFM3
M5F7918 18 V FIXED NEGATIVE REGULATOR, PSFM3
M5F7915 15 V FIXED NEGATIVE REGULATOR, PSFM3
M5F7910 10 V FIXED NEGATIVE REGULATOR, PSFM3
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參數(shù)描述
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M59DR032F100ZB1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR032F100ZB6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR032F120N1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR032F120N6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
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