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參數(shù)資料
| 型號： | M68AF511AL55NC1T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 4 Mbit (512K x8), 5V Asynchronous SRAM |
| 中文描述： | 4兆位（為512k × 8），5V的異步SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 15/18頁 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | M68AF511AL55NC1T |
15/18
M68AF511A
Figure 14. SO32 - 32 lead Plastic Small Outline, Package Outline
Note: Drawing is not to scale.
Table 11. SO32 - 32 lead Plastic Small Outline, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
3.00
0.118
A1
0.10
0.004
A2
2.57
2.82
0.101
0.111
B
0.36
0.51
0.014
0.020
C
0.15
0.30
0.006
0.012
D
20.14
20.75
0.793
0.817
E
11.18
11.43
0.440
0.450
E1
13.87
14.38
0.546
0.566
e
1.27
–
–
0.050
–
–
L
0.58
0.99
0.023
0.039
L1
1.19
1.60
0.047
0.063
CP
0.10
0.004
E
16
e
A2
D
C
E1
A
17
32
1
B
SO-C
CP
A1
L
L1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M68AF511AL55NC6T | 4 Mbit (512K x8), 5V Asynchronous SRAM |
| M68AF511AL70MC1T | 4 Mbit (512K x8), 5V Asynchronous SRAM |
| M68AF511AM55NC1T | 4 Mbit (512K x8), 5V Asynchronous SRAM |
| M68AF511AM70NC1T | 4 Mbit (512K x8), 5V Asynchronous SRAM |
| M68AF511AM70MC6T | 4 Mbit (512K x8), 5V Asynchronous SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M68AF511AL55NC6 | 功能描述:RAM其它 4M (512Kx8) 55ns RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 封裝:Tray |
| M68AF511AL55NC6T | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 WIRELESS FLASH RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| M68AF511AL70MC1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (512K x8), 5V Asynchronous SRAM |
| M68AF511AL70MC6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (512K x8), 5V Asynchronous SRAM |
| M68AF511AL70NC1 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
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