參數(shù)資料
型號： M68AF511AL70MC1T
廠商： 意法半導體
英文描述： 4 Mbit (512K x8), 5V Asynchronous SRAM
中文描述： 4兆位（為512k × 8），5V的異步SRAM
文件頁數(shù)： 13/18頁
文件大?。?/td> 129K
代理商： M68AF511AL70MC1T
13/18
M68AF511A
Figure 12. Low V
CC
Data Retention AC Waveforms.
Table 9. Low V
CC
Data Retention Characteristics
Symbol
Parameter
Note: 1. All other Inputs at V
IH
≥
V
CC
–0.2V or V
IL
≤
0.2V.
2. Tested initially and after any design or process that may affect these parameteres.
t
AVAV
is Read cycle time.
3. No input may exceed V
CC
+0.2V.
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
I
CCDR(1)
Supply Current (Data Retention)
V
CC
= 2V, E
≥
V
CC
– 0.2V, f = 0
(3)
4.5
9
μA
t
CDR (1,2)
Chip Deselected to Data
Retention Time
0
ns
t
R(2)
Operation Recovery Time
t
AVAV
ns
V
DR (2)
Supply Voltage (Data Retention)
E
≥
V
CC
– 0.2V, f = 0
2
V
AI05915
DATA RETENTION MODE
tR
5.5V
tCDR
VCC 4.5V
VDR> 2.0V
E 2.2V
E
≥
VDR– 0.2V
相關PDF資料
PDF描述
M68AF511AM55NC1T 4 Mbit (512K x8), 5V Asynchronous SRAM
M68AF511AM70NC1T 4 Mbit (512K x8), 5V Asynchronous SRAM
M68AF511AM70MC6T 4 Mbit (512K x8), 5V Asynchronous SRAM
M68AF511AM70MC1T 4 Mbit (512K x8), 5V Asynchronous SRAM
M68AW031A CLAMP
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
M68AF511AL70MC6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (512K x8), 5V Asynchronous SRAM
M68AF511AL70NC1 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
M68AF511AL70NC1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (512K x8), 5V Asynchronous SRAM
M68AF511AL70NC6 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M (512Kx8) 70ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
M68AF511AL70NC6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit (512K x8), 5V Asynchronous SRAM
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