參數(shù)資料
型號： M68Z128WN
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 3V, 1 Mbit 128Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable
中文描述： 3V的，1兆位的輸出128KB的x8低功耗SRAM啟用
文件頁數(shù)： 9/12頁
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代理商： M68Z128WN
9/12
M68Z128W
Figure 10. Low V
CC
Data Retention AC Waveforms
AI00664
DATA RETENTION MODE
tR
3.6V
tCDR
VCC 3V
VDR > 1.4V
E1 2.2V
E1
≥
VDR – 0.2V
E2
≤
0.2V
E2 0.8V
Table 9. Low V
CC
Data Retention Characteristics
(T
A
= 0 to 70°C)
Symbol
Parameter
Note: 1. All other Inputs at V
IH
≥
V
CC
– 0.2V or V
IL
≤
0.2V.
2. See Figure 10 for measurement points. Guaranteed but not tested.
t
AVAV
is Read cycle time.
Test Condition
V
CC
= 3V, E1
≥
V
CC
– 0.2V,
E2
≤
0.2V, f = 0
E1
≥
V
CC
– 0.2V, E2
≤
0.2V, f = 0
Min
Typ
Max
Unit
I
CCDR (1)
Supply Current (Data Retention)
0.01
2
μA
V
DR (1)
t
CDR (1,2)
t
R (2)
Supply Voltage (Data Retention)
1.4
V
Chip Disable to Power Down
E1
≥
V
CC
– 0.2V, E2
≤
0.2V, f = 0
0
ns
Operation Recovery Time
t
AVAV
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M68Z128W 3V, 1 Mbit 128Kb x8 Low Power SRAM with Output Enable
M69AW024BL60ZB8T 16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM
M69AW024BL70ZB8T 16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM
M69AW024B 16 Mbit (1M x16) 3V Asynchronous PSRAM
M69AW048B 32 Mbit (2M x16) 3V Asynchronous PSRAM
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參數(shù)描述
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