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參數(shù)資料
| 型號： | M7A3P1000-1PQ208 |
| 廠商： | Microsemi SoC |
| 文件頁數(shù)： | 160/220頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 1KB FLASH 1M 208-PQFP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 24 |
| 系列： | ProASIC3 |
| RAM 位總計： | 147456 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 154 |
| 門數(shù)： | 1000000 |
| 電源電壓： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 封裝/外殼： | 208-BFQFP |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 208-PQFP（28x28） |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁當(dāng)前第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁
ProASIC3 DC and Switching Characteristics
2-30
Revision 13
The length of time an I/O can withstand IOSH/IOSL events depends on the junction temperature. The
reliability data below is based on a 3.3 V, 12 mA I/O setting, which is the worst case for this type of
analysis.
For example, at 100°C, the short current condition would have to be sustained for more than six months
to cause a reliability concern. The I/O design does not contain any short circuit protection, but such
protection would only be needed in extremely prolonged stress conditions.
Table 2-34 I/O Short Currents IOSH/IOSL
Applicable to Standard I/O Banks
Drive Strength
IOSL (mA)*
IOSH (mA)*
3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS
2 mA
27
25
4 mA
27
25
6 mA
54
51
8 mA
54
51
3.3 V LVCMOS Wide Range2
100 A
Same as regular
3.3 V LVCMOS
Same as regular
3.3 V LVCMOS
2.5 V LVCMOS
2 mA
18
16
4 mA
18
16
6 mA
37
32
8 mA
37
32
1.8 V LVCMOS
2 mA
11
9
4 mA
22
17
1.5 V LVCMOS
2 mA
16
13
Notes:
1. TJ = 100°C
2. Applicable to 3.3 V LVCMOS Wide Range. IOSL/IOSH dependent on the I/O buffer drive strength selected
for wide range applications. All LVCMOS 3.3 V software macros support LVCMOS 3.3 V wide range as
specified in the JESD-8B specification.
Table 2-35 Duration of Short Circuit Event Before Failure
Temperature
Time before Failure
–40°C
> 20 years
0°C
> 20 years
25°C
> 20 years
70°C
5 years
85°C
2 years
100°C
6 months
Table 2-36 I/O Input Rise Time, Fall Time, and Related I/O Reliability
Input Buffer
Input Rise/Fall Time (min.) Input Rise/Fall Time (max.)
Reliability
LVTTL/LVCMOS
No requirement
10 ns *
20 years (110°C)
LVDS/B-LVDS/
M-LVDS/LVPECL
No requirement
10 ns *
10 years (100°C)
Note: *The maximum input rise/fall time is related to the noise induced into the input buffer trace. If the
noise is low, then the rise time and fall time of input buffers can be increased beyond the maximum
value. The longer the rise/fall times, the more susceptible the input signal is to the board noise.
Microsemi recommends signal integrity evaluation/characterization of the system to ensure that
there is no excessive noise coupling into input signals.
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