參數(shù)資料
型號(hào)： M93C-86RDS3T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit (8-bit or 16-bit wide) MICROWIRE Serial Access EEPROM
中文描述： 16Kbit，8Kbit，4Kbit，2Kbit和1Kbit（8位或16位寬）MICROWIRE串行EEPROM的訪問
文件頁數(shù)： 18/31頁
文件大?。?/td> 182K
代理商： M93C-86RDS3T
M93C86, M93C76, M93C66, M93C56, M93C46
18/31
Table 18. DC Characteristics (M93Cx6-W, Device Grade 7 or 3)
Note: 1. New product: identified by Process Identification letter W or G or S.
Table 19. DC Characteristics (M93Cx6-R)
Note: 1. This product is under development. For more information, please contact your nearest ST sales office.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
(1)
Max.
(1)
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
±2.5
μA
I
LO
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
, Q in Hi-Z
±2.5
μA
I
CC
Supply Current (CMOS
Inputs)
V
CC
= 5V, S = V
IH
, f = 2 MHz, Q = open
2
mA
V
CC
= 2.5V, S = V
IH
, f = 2 MHz, Q = open
1
mA
I
CC1
Supply Current (Stand-by)
V
CC
= 2.5V, S = V
SS
, C = V
SS
,
ORG = V
SS
or V
CC
5
μA
V
IL
Input Low Voltage (D, C, S)
–0.45
0.2 V
CC
V
V
IH
Input High Voltage (D, C, S)
0.7 V
CC
V
CC
+ 1
V
V
OL
Output Low Voltage (Q)
V
CC
= 5V, I
OL
= 2.1mA
0.4
V
V
CC
= 2.5V, I
OL
= 100μA
0.2
V
V
OH
Output High Voltage (Q)
V
CC
= 5V, I
OH
= –400μA
2.4
V
V
CC
= 2.5V, I
OH
= –100μA
V
CC
–0.2
V
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
(1)
Max.
(1)
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
±2.5
μA
I
LO
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
, Q in Hi-Z
±2.5
μA
I
CC
Supply Current (CMOS
Inputs)
V
CC
= 5V, S = V
IH
, f = 2 MHz, Q = open
2
mA
V
CC
= 1.8V, S = V
IH
, f = 1 MHz, Q = open
1
mA
I
CC1
Supply Current (Stand-by)
V
CC
= 1.8V, S = V
SS
, C = V
SS
,
ORG = V
SS
or V
CC
2
μA
V
IL
Input Low Voltage (D, C, S)
–0.45
0.2 V
CC
V
V
IH
Input High Voltage (D, C, S)
0.8 V
CC
V
CC
+ 1
V
V
OL
Output Low Voltage (Q)
V
CC
= 1.8V, I
OL
= 100μA
0.2
V
V
OH
Output High Voltage (Q)
V
CC
= 1.8V, I
OH
= –100μA
V
CC
–0.2
V
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PDF描述
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