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參數(shù)資料
| 型號： | M95080-W |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16 Kbit and 8 Kbit serial SPI bus EEPROM with high speed clock |
| 中文描述： | 16千位和8千位串行SPI高速時鐘總線的EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 31/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 270K |
| 代理商： | M95080-W |
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M95160, M95080
DC and AC parameters
31/45
Table 19.
AC characteristics (M95160 and
M95080
, device grade 3)
Test conditions specified in
Table 12.
and
Table 9.
Symbol
Alt.
Parameter
Min.
Max.
Unit
f
C
f
SCK
Clock frequency
D.C.
5
MHz
t
SLCH
t
CSS1
S active setup time
90
ns
t
SHCH
t
CSS2
S not active setup time
90
ns
t
SHSL
t
CS
S deselect time
100
ns
t
CHSH
t
CSH
S active hold time
90
ns
t
CHSL
t
CH(1)
t
CL (1))
t
CLCH (2)
t
CHCL (2)
S not active hold time
90
ns
1.
t
CH
+ t
CL
must never be lower than the shortest possible clock period, 1/f
C
(max).
Value guaranteed by characterization, not 100% tested in production.
t
CLH
Clock high time
90
ns
t
CLL
Clock low time
90
ns
2.
t
RC
Clock rise time
1
μs
t
FC
Clock fall time
1
μs
t
DVCH
t
DSU
Data in setup time
20
ns
t
CHDX
t
DH
Data in hold time
30
ns
t
HHCH
Clock low hold time after HOLD not active
70
ns
t
HLCH
Clock low hold time after HOLD active
40
ns
t
CLHL
Clock low set-up time before HOLD active
0
ns
t
CLHH
t
SHQZ(2)
Clock low set-up time before HOLD not active
0
ns
t
DIS
Output disable time
100
ns
t
CLQV
t
V
Clock low to output valid
60
ns
t
CLQX
t
QLQH(2)
t
QHQL(2)
t
HO
Output hold time
0
ns
t
RO
Output rise time
50
ns
t
FO
Output fall time
50
ns
t
HHQV
t
HLQZ(2)
t
LZ
HOLD high to output valid
50
ns
t
HZ
HOLD low to output High-Z
100
ns
t
W
t
WC
Write time
5
ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M95160-R | 16 Kbit and 8 Kbit serial SPI bus EEPROM with high speed clock |
| M95160-W | 16 Kbit and 8 Kbit serial SPI bus EEPROM with high speed clock |
| M95128-MN6TPV | 128 Kbit Serial SPI bus EEPROM with high speed clock |
| M95128-DW3GP | 128 Kbit Serial SPI bus EEPROM with high speed clock |
| M95128-DW3GV | 128 Kbit Serial SPI bus EEPROM with high speed clock |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M95080-WBN6 | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 5.5V 8K (1Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| M95080-WBPMN6 | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 5.5V 8K (1Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| M95080-WBPMN6T | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 5.5V 8K (1Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| M95080-WDW6T | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 5.5V 8K (1Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| M95080-WDW6TP | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 2.5 V to 5.5V 8K RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
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