參數(shù)資料
型號(hào)： M95080-WMB6T
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類： DRAM
英文描述： 16Kbit and 8Kbit Serial SPI Bus EEPROM With High Speed Clock
中文描述： 16Kbit和8Kbit SPI總線串行EEPROM的高速時(shí)鐘
文件頁數(shù)： 25/39頁
文件大小： 590K
代理商： M95080-WMB6T
25/39
M95640, M95320
Table 16. DC Characteristics (M95xxx-W, temperature range 3)
Note: New product: identified by Process Identification letter B.
Table 17. DC Characteristics (M95xxx-R)
Note: 1. This product is under qualification. For more infomation, please contact your nearest ST sales office.
2. Preliminary data.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Max.
Unit
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= V
SS
or
V
CC
± 2
μA
I
LO
Output Leakage Current
S = V
CC
, V
OUT
= V
SS
or
V
CC
± 2
μA
I
CC
Supply Current
C = 0.1V
CC
/0.9V
CC
at 5 MHz,
V
CC
= 2.5 V, Q = open
3
mA
I
CC1
Supply Current
(Stand-by)
S = V
CC
, V
CC
= 2.5 V, V
IN
= V
SS
or
V
CC
2
μA
V
IL
Input Low Voltage
–0.45
0.3 V
CC
V
V
IH
Input High Voltage
0.7 V
CC
V
CC
+1
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 1.5 mA, V
CC
= 2.5 V
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –0.4 mA, V
CC
= 2.5 V
0.8 V
CC
V
Symbol
Parameter
Test Condition
1
Min.
2
Max.
2
Unit
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= V
SS
or
V
CC
± 2
μA
I
LO
Output Leakage Current
S = V
CC
, V
OUT
= V
SS
or
V
CC
± 2
μA
I
CC
Supply Current
C = 0.1V
CC
/0.9V
CC
at 2 MHz,
V
CC
= 1.8 V, Q = open
1
mA
I
CC1
Supply Current
(Stand-by)
S = V
CC
, V
IN
= V
SS
or
V
CC
, V
CC
= 1.8 V
1
μA
V
IL
Input Low Voltage
–0.45
0.3 V
CC
V
V
IH
Input High Voltage
0.7 V
CC
V
CC
+1
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 0.15 mA, V
CC
= 1.8 V
0.3
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –0.1 mA, V
CC
= 1.8 V
0.8 V
CC
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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