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參數(shù)資料
| 型號： | M95080-WMN3 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16Kbit and 8Kbit Serial SPI Bus EEPROM With High Speed Clock |
| 中文描述： | 16Kbit和8Kbit SPI總線串行EEPROM的高速時鐘 |
| 文件頁數(shù)： | 38/39頁 |
| 文件大小： | 590K |
| 代理商： | M95080-WMN3 |
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M95640, M95320
38/39
REVISION HISTORY
Table 29. Document Revision History
Date
Rev.
Description of Revision
13-Jul-2000
1.2
Human Body Model meets JEDEC std (Table 2). Minor adjustments on pp 1,11,15. New clause
on p7. Addition of TSSOP8 package on pp 1, 2, Ordering Info, Mechanical Data
16-Mar-2001
1.3
Test condition added I
LI
and I
LO
, and specification of t
DLDH
and t
DHDL
removed.
t
CLCH
, t
CHCL
, t
DLDH
and t
DHDL
changed to 50ns for the -V range.
“-V” Voltage range changed to “2.7V to 3.6V” throughout.
Maximum lead soldering time and temperature conditions updated.
Instruction sequence illustrations updated.
“Bus Master and Memory Devices on the SPI bus” illustration updated.
Package Mechanical data updated.
19-Jul-2001
1.4
M95160 and M95080 devices removed to their own data sheet
06-Dec-2001
1.5
Endurance increased to 1M write/erase cycles
Instruction sequence illustrations updated
18-Dec-2001
2.0
Document reformatted using the new template. No parameters changed.
08-Feb-2002
2.1
Announcement made of planned upgrade to 10 MHz clock for the 5V, –40 to 85°C, range.
Endurance set to 100K write/erase cycles
18-Dec-2002
2.2
10MHz, 5MHz, 2MHz clock; 5ms, 10ms Write Time; 100K, 1M erase/write cycles distinguished
on front page, and in the DC and AC Characteristics tables
26-Mar-2003
2.3
Process indentification letter corrected in footnote to AC Characteristics table for temp. range 3
26-Jun-2003
2.4
-S voltage range upgraded by removing it and inserting -R voltage range in its place
15-Oct-2003
3.0
Table of contents, and Pb-free options added. V
IL
(min) improved to -0.45V.
21-Nov-2003
3.1
V
I
(min) and V
O
(min) corrected (improved) to -0.45V.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M95080-WBN1T | 64/32/16/8 Kbit Serial SPI Bus EEPROM With High Speed Clock |
| M95080-WMN1T | RECTIFIER SBR DUAL 40A 150V 300A-ifsm 800mV-vf 0.5mA-ir TO-220AB 50/TUBE |
| M95080-WDL1T | 64/32/16/8 Kbit Serial SPI Bus EEPROM With High Speed Clock |
| M95080-WDL3T | 64/32/16/8 Kbit Serial SPI Bus EEPROM With High Speed Clock |
| M95080-VDL1T | 64/32/16/8 Kbit Serial SPI Bus EEPROM With High Speed Clock |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M95080-WMN3T | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 5.5V 8K (1Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| M95080-WMN3TP | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
| M95080-WMN3TP/S | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:EEPROM Serial-SPI 8K-Bit 1K x 8 3.3V/5V 8-Pin SO N T/R 制造商:ST 功能描述:16 Kbit and 8 Kbit serial SPI bus EEPROM with high speed clock |
| M95080-WMN6 | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 5.5V 8K (1Kx8) RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
| M95080-WMN6P | 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲器 2.5 V to 5.5V EE RoHS:否 制造商:Atmel 存儲容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 |
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